[发明专利]一种刻蚀电极机构中的上电极

说明书

技术领域：

本发明涉及一种半导体介质刻蚀机，尤其涉及刻蚀电极机中的上电极。

背景技术：

电介质刻蚀机是半导体芯片加工的关键设备，而电介质刻蚀机中实现晶圆刻蚀芝能的是上、下两个电极组成的电极结构。其中上电极接1000V左右的正电，实现对等离子刻蚀气体的分配和控制功能，下电极与大地连接，不带电荷，处于其中的气体中的分子被上、下两电极间形成高压电场经加速对放置在下电极上的晶圆进行高速轰击，从而产生刻蚀作用。为了实现所述的工作原理，要求上电极具有对等离子工作气体有分配功能、自身的结构在组装时具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性另一面具有导电性能用于连接1000V正电。

发明内容 ：

本发明的目的是提供一种具有对等离子工作气体分配功能、具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性、耐腐蚀性另一面具有导电性能用于连接1000V正电的刻蚀电极机中的上电极。

本发明的目的是这样实现的，一种刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔、安装孔，其特征在于：上电极设置成圆台，圆台按规律设置有辅助气体分配的沟槽，沟槽上等间距设置有气体喷孔。

本发明所述的圆台下底设置有高平面度和高表面光洁度。

本发明结构简单，操作方便，具有对等离子工作气体的分配功能、具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性、耐腐蚀性另一面具有导电性能用于连接1000V正电，提高了加工质量和工作效率，降低了生产成本。

附图说明：

图1是本发明的结构示意图。

图2是图1中A-A剖视图。

图中1、气体喷孔，   2、气体分配沟槽，   3、安装孔，  4、圆台下底， 5、圆台。    

具体实施方式：

下面结合附图对本发明作进一步说明：

参照附图，一种刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔1、安装孔3，其特征在于：上电极设置成圆台5，圆台5按规律设置有辅助气体分配的沟槽2，沟槽2上等间距设置有气体喷孔1。所述的圆台5下底4设置有高平面度和高表面光洁度。具体实施时，圆台下底4是起密封作用的配合平面，控制工作气体全部从上电极的小孔内流出而不从其它通道发生泄露，圆台下底4通过安装孔3与相邻部件上的密封圈配合连接，密封圈被压紧达到密封效果；整个上电极结构中除了需要连接1000V正电的圆台下底4以外，其余表面全部进行硬质阳极氧化处理，满足工作环境对上电极具有绝缘性、耐腐蚀性的要求。