[发明专利]基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管有效
| 申请号： | 201210107962.8 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623591A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 苏辉 | 申请（专利权）人： | 苏辉 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 量子 材料 混合结构 辐射 发光 | ||
1.一种基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，包括依次设置的下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层、上分离限制层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为量子点和量子阱材料混合结构。
2.根据权利要求l所述的基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，其特征在于：所述量子点和量子阱材料混合结构为两层或多层结构，所述两层结构由沿材料生长方向上的单个量子点层和单个量子阱层层叠构成，所述多层结构由沿材料生长方向上的多个量子点层和多个量子阱层层叠构成。
3.根据权利要求2所述的基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，其特征在于：所述量子点和量子阱材料混合结构包括一下势垒层和一上势垒层，所述下势垒层和上势垒层之间设有一或多个量子点层和一或多个量子阱层，两相邻量子点层之间设有点点间隔层，相邻量子点层与量子阱层之间设有点阱间隔层。
4.根据权利要求l所述的基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，其特征在于：所述量子点和量子阱材料混合结构由垂直于材料生长方向上的单个量子点区和单个量子阱区构成，或由垂直于材料生长方向交替设置的多个量子点区和多个量子阱区构成；所述量子点区由一或多个量子点层构成，所述量子阱区由一或多个量子阱层构成。
5.根据权利要求4所述的基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，其特征在于：所述量子点和量子阱材料混合结构的上电极是分开的，与下电极形成两个或多个泵浦区，中间设有电极隔离条区。
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