[发明专利]散热器及其制造方法

权利要求书

1.一种散热器，所述散热器包括电路基片和散热装置，其中，

所述电路基片包括：

绝缘基片，所述绝缘基片形成为具有前表面和后表面；

前金属层，所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面，所述前金属层形成为具有能够与半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基片的后表面；以及

后金属层，所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面，所述后金属层形成为具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置的后表面，

所述后金属层具有多个应力释放空间，每个应力释放空间形成为至少在所述后金属层的所述前表面和所述后表面的其中一个处敞开，并且

当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时，在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。

2.根据权利要求1所述的散热器，其中，

在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间形成在所述正下方区域的周边部分中、而不形成在所述正下方区域的中央部分中，

在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间形成在所述对比区域的周边部分和中央部分中，并且

使得在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。

3.根据权利要求2所述的散热器，其中，

利用硬钎料将所述绝缘基片、所述后金属层和所述散热装置接合在一起，

在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的至少一部分填充有硬钎料，并且

使得在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的散热器，其中，所述后金属层是应力释放构件。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的散热器，其中，所述后金属层包括：

第一后金属层，所述第一后金属层接合于所述散热装置；以及

第二后金属层，所述第二后金属层位于所述第一后金属层与所述绝缘基片之间并且接合于所述第一后金属层和所述绝缘基片，

其中，所述应力释放空间形成在所述第一后金属层中。

6.一种用于制造具有电路基片和散热装置的散热器的方法，其中，

所述电路基片包括：

绝缘基片，所述绝缘基片具有前表面和后表面；

前金属层，所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面，所述前金属层具有能够与半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基片的后表面；以及

后金属层，所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面，所述后金属层具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置的后表面，

所述后金属层具有多个应力释放空间，

当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时，

所述制造方法包括：

准备硬钎料，其中，在所述正下方区域的范围外侧，所述硬钎料具有与所述应力释放空间相对应的空间，并且在所述正下方区域的范围中，所述硬钎料具有体积小于形成在所述对比区域中的空间的体积的另外的空间；

将所述硬钎料布置在所述后金属层的接合界面处；

将所述硬钎料加热至高于熔化温度的温度以便熔化所述硬钎料；以及

将熔化的所述硬钎料冷却至低于所述熔化温度的温度以便使所述硬钎料凝固。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

准备所述硬钎料包括将所述硬钎料形成为使得：

所述硬钎料覆盖所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的至少其中一个的部分开口或整个开口，并且

所述硬钎料不覆盖所述正下方区域的范围外侧的所述应力释放空间的开口。