[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

扩散层，所述扩散层形成在半导体基板上，

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管形成在所述扩散层上并且所述第二晶体管形成在所述扩散层上，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，

其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极，并且

其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，进一步包括：

第三晶体管，所述第三晶体管形成在所述扩散层上，

其中所述第三晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；

其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个耦合到所述第二晶体管的所述源极和漏极中的另一个；

其中所述第三晶体管的所述栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述栅极；并且

其中所述第三晶体管的所述栅极被布置为使得所述第三晶体管的栅极宽度的方向和所述第一晶体管的栅极宽度的方向都在同一延长线上。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，进一步包括：

第一布线，所述第一布线耦合到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个与所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个；以及

第二布线，所述第二布线耦合到所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个和所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个，

其中所述第一和第二布线的方向不同于所述第三晶体管的栅极宽度的方向。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件，进一步包括：

第三布线，所述第三布线耦合到所述第一晶体管的所述栅极、所述第二晶体管的所述栅极以及所述第三晶体管的所述栅极，

其中所述第三布线的方向不同于所述第一和第二布线的方向。

5.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，进一步包括：

第二扩散层，所述第二扩散层形成为与作为第一扩散层的所述扩散层相邻；以及

第四、第五和第六晶体管，所述第四、第五和第六晶体管形成在所述第二扩散层上，

其中所述第一和第二扩散层被布置在所述第一和第三晶体管的栅极宽度的方向上，

其中所述第一、第三、第四和第五晶体管在栅极宽度的方向上被布置在同一延长线上，并且

其中在所述第六晶体管和所述第四或第五晶体管之间，栅极宽度的方向是不同的。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件，

其中所述第一和第四晶体管公共地具有自所述第一扩散层或所述第二扩散层的栅极突出部分。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，进一步包括：

另一扩散层，所述另一扩散层在所述半导体基板上形成为邻近于所述扩散层；以及

另一晶体管，所述另一晶体管形成在所述另一扩散层中，

其中所述扩散层和所述另一扩散层被布置在所述第二晶体管的栅极突出部分的方向上，

其中所述另一晶体管具有从所述另一扩散层朝向所述扩散层的栅极突出部分，并且

其中所述第二晶体管的所述栅极突出部分和所述另一晶体管的所述栅极突出部分相对于所述第一晶体管的栅极宽度的方向以交错模式布置。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，

其中在所述第一和第二晶体管之间，栅极宽度是相同的。

9.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，

其中所述第三晶体管的栅极宽度长于所述第一和第二晶体管的栅极宽度。