[发明专利]一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法无效
| 申请号： | 201210104895.4 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102621169A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张振宇;霍艳霞;张念民;郭东明 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116100*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ii vi 族软脆 晶体 精密 加工 样品 定点 原子 成像 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法，采用液氮降温，低能量离子减薄技术，操作对象是定点位置与表面胶连接完好的破碎的薄片或高清晰的定点减薄位置，实现II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像的目的，其特征是：
(1)样品为II-VI族软脆晶体；
(2)定点原子成像对象为纳米压痕、纳米划痕、单颗粒磨削、超精密磨削、纳米磨削、单点金刚石车削后的加工表面；
(3)纳米压痕和纳米划痕的样品长度为4-10mm，宽度为0.5-1.5mm；
(4)加工位置位于长度和宽度的中间，并且加工图案贯穿整个表面宽度；
(5)进行透射电镜样品制备时，第一面和第二面抛光结束时分别采用0.5μm和1μm的研磨薄膜；
(6)离子减薄时的液氮冷却温度设定范围为0℃到-150℃，离子枪的倾角为3°-6°，轰击能量为2.5-3.5kev；
(7)定点原子成像时双倾台的β倾角为-22°到+22°之间；
(8)定点原子成像时的操作对象是，定点位置与表面胶连接完好的破碎的薄片，尺寸长度为几十纳米到几个微米，或高清晰的定点减薄位置，原子成像曝光时间≤0.15秒。
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