[发明专利]衬底处理装置及搬运装置无效
申请号: | 201210104814.0 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102738262A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 西谷英辅;国井泰夫;丰田一行;吉田秀成;石坂光范 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 搬运 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:
处理室,容纳多个衬底,所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜;
反应管,以构成所述处理室的方式形成;
气体供给管,向所述处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体;
排气管,将所述处理室内的气体排出;
加热部,以包围上述反应管的方式设置;及
风扇,在所述多个玻璃衬底的表面上,使所述处理室内的气体在所述多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置,其中,沿着所述衬底的长边方向配置多个所述风扇。
3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,还具有在所述多个衬底的长边方向上延伸的、以夹持所述多个衬底的方式设置的一对内壁。
4.如权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述一对内壁进一步设置成夹持所述风扇的侧面。
5.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中,
所述风扇具有在所述处理室内旋转的扇叶部,
对于所述扇叶部,通过以与所述扇叶部的基材相比硒化耐性或硫化耐性高的物质作为主要成分的涂膜涂布所述扇叶部的基材。
6.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中,所述反应管的基材由金属材料形成。
7.如权利要求6所述的衬底处理装置,其中,所述反应管的至少暴露在所述处理室内的气体中的部分,用与所述反应管的基材相比硒化耐性或硫化耐性高的物质进行涂布。
8.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中,在所述含硒元素气体或所述含硫元素气体于所述多个衬底的表面的流动方向的、所述多个衬底的上游侧,设置有具有多个开口部的第1整流板。
9.如权利要求8所述的衬底处理装置,在所述含硒元素气体或所述含硫元素气体于所述多个衬底的表面的流动的方向的、所述多个衬底的下游测,设置有具有多个开口部的第2整流板。
10.如权利要求8所述的衬底处理装置,其中,
沿着所述多个衬底的长边方向设置多个所述风扇,
所述第1整流板中,所述风扇的正下方区域的所述开口部的开口率与配置有多个的所述风扇之间的区域的所述开口部的开口率不同。
11.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中,
所述多个衬底被保持在保持盒内,
在所述多个衬底的长边方向上配置多个所述保持盒。
12.一种搬运装置,将保持有多个衬底的保持盒搬运至处理室内,且具有:
支承所述保持盒的支承部;
固定在所述支承部上的车轮部;
使所述支承部及所述车轮部一体工作的臂。
13.如权利要求12所述的搬运装置,其中,所述搬运装置还具有设置在所述支承部与所述车轮部之间的可升降的升降部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的