[发明专利]具有屏蔽导通柱的半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括一基板，该基板具有一导通柱，该导通柱包含一内金属层及一屏蔽层，该内金属层环绕该基板的一贯穿孔的一中心轴，该屏蔽层环绕该内金属层。

2.如权利要求1的半导体元件，更包括一绝缘材料，位于该内金属层及该屏蔽层之间。

3.如权利要求1的半导体元件，更包括一第一金属层，位于该基板的一第一表面，该第一金属层接触该屏蔽层。

4.如权利要求1的半导体元件，其中该内金属层环绕一中心部。

5.如权利要求4的半导体元件，其中该内金属层位于该中心部的一外周面上。

6.如权利要求1的半导体元件，其中该屏蔽层位于该贯穿孔的一外侧壁。

7.如权利要求1的半导体元件，其中该基板更具有一中心槽、一外围第一开口及一隔离材料，该中心槽由该内金属层所定义，该外围第一开口围绕该屏蔽层，且该隔离材料位于该中心槽内及该外围第一开口内。

8.如权利要求3的半导体元件，其中该第一金属层为一接地面或一电源面。

9.如权利要求3的半导体元件，更包括：

一第一钝化层，位于该第一金属层上，且该第一钝化层具有一第一开口以显露该内金属层；及

一第一重布层，位于该第一钝化层的第一开口内以接触该内金属层。

10.一种半导体元件，包括：

一基板；

一第一导通柱，包含一屏蔽层、一第一内金属层及一绝缘材料，该屏蔽层环绕该第一内金属层，该第一内金属层环绕该基板的一第一贯穿孔的一中心轴，且该绝缘材料位于该屏蔽层及该第一内金属层之间；

一第二导通柱，包含一第二内金属层，该第二内金属层位于该基板的一第二贯穿孔的一侧壁；及

一金属层，位于该基板的一表面，该金属层覆盖该第二导通柱且接触该第一导通柱的该屏蔽层及该第二导通柱的该第二内金属层。

11.一种半导体元件的制造方法，包括：

(a)提供一基板，该基板具有一第一表面及一第二表面；

(b)形成一第一开口于该基板的第一表面，该第一开口围绕一中心部，且具有一内环壁、一外环壁及一底面；

(c)形成一内连结金属层于该内环壁及该外环壁，以分别形成一内金属层及一屏蔽层；

(d)形成一绝缘材料于该内连结金属层上；

(e)形成一第一金属层于该基板的第一表面，其中该第一金属层接触该屏蔽层；及

(f)从该基板的第二表面薄化该基板，以移除部份该基板，以显露该内金属层及该屏蔽层。

12.如权利要求11的方法，其中该步骤(b)包括：

(b1)形成一第一光阻层于该基板的第一表面；

(b2)于该第一光阻层上形成一环状开口；及

(b3)根据该环状开口于该基板上形成该第一开口。