[发明专利]高压发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201210104324.0 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103258836A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 杨志伟;张简庆华 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造高压发光二极管芯片的方法，包含：
形成数个发光二极管单元于一基板上，其中各相邻的所述发光二极管单元间具有一沟槽，该沟槽具有一0.5微米至7微米的宽度，以隔离各所述发光二极管单元；以及
电性连接所述发光二极管单元。
2.如权利要求1所述的方法，其中该沟槽的宽度为0.5微米至5微米。
3.如权利要求1所述的方法，其中该沟槽是经由一激光切割步骤而形成。
4.如权利要求3所述的方法，其中于该激光切割步骤之后，更包含一清洗沟槽步骤。
5.一种高压发光二极管芯片，包含：
一基板；以及
数个发光二极管单元，所述发光二极管单元设置于该基板上且彼此电性连接；
其中各相邻的所述发光二极管单元间具有一宽度为0.5微米至7微米的沟槽，以隔离各所述发光二极管单元。
6.如权利要求5所述的高压发光二极管芯片，其中该沟槽的宽度为0.5微米至5微米。
7.如权利要求5所述的高压发光二极管芯片，其中各该发光二极管单元包含：
一第一半导体结构，设置于该基板上；以及
一第二半导体结构，设置于该第一半导体结构上；
其中该沟槽的深度等于或大于该第一半导体结构的厚度。
8.如权利要求7所述的高压发光二极管芯片，其中该沟槽的深度为该第一半导体结构的厚度加10微米至15微米。
9.如权利要求7所述的高压发光二极管芯片，其中该第一半导体结构与该第二半导体结构的材料是各自独立选自以下群组：氮化镓、铟氮化镓、砷化镓及其组合。
10.一种发光二极管装置，包含：
一载板；及
一如权利要求5至9中任一所述的高压发光二极管芯片，封装至该载板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
