[发明专利]一种NAND闪存有效
| 申请号： | 201210104010.0 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103365791A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;丁冲;张现聚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鹏 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 | ||
1.一种NAND闪存，包括：存储单元；
其特征在于，还包括：
串行接口，包括第一串行端口和第二串行端口；
片选使能信号输入端口，用于接收片选使能信号；
控制单元，用于片选使能信号为低电平时，指示所述第一串行端口接收输入数据；当接收完输入数据后，指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据。
2.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述串行接口为I2C接口。
3.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述串行接口为标准单输入输出接口。
4.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述第二串行端口包括第一串行输出端口和第二串行输出端口；
所述控制单元指示所述第二串行端口输出地址对应的数据给所述存储单元是指：
所述控制单元指示所述第一串行输出端口和第二串行输出端口同时输出地址对应的所述存储单元的数据。
5.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述第二串行端口包括第一串行输出端口、第二串行输出端口、第三串行输出端口和第四串行输出端口；
所述控制单元指示所述第二串行端口输出地址对应的数据给所述存储单元是指：
所述控制单元指示所述第一串行输出端口、第二串行输出端口、第三串行输出端口和第四串行输出端口同时输出地址对应的所述存储单元的数据。
6.如权利要求3到5中任一项所述的NAND闪存，其特征在于：
当所述第一串行端口接收输入数据中的命令信号、地址信号以及空字节时所述第二串行端口为高阻态。
7.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述控制单元还用于当所述第一串行端口接收完输入数据中的命令信号后，指示所述第二串行端口和所述第一串行端口同时接收其余的输入数据；还用于当接收完输入数据后，指示所述第一串行端口和所述第二串行端口同时输出地址对应的所述存储单元的数据。
8.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于：
所述第二串行端口包括第一串行输出端口、第二串行输出端口和第三串行输出端口；
所述控制单元还用于当所述第一串行端口接收完输入数据中的命令信号后，指示所述第一串行输出端口、第二串行输出端口和第三串行输出端口和所述第一串行端口同时接收其余的输入数据；
所述控制单元指示所述第二串行端口输出地址对应的数据给所述存储单元是指：
所述控制单元指示所述第一串行端口、第一串行输出端口、第二串行输出端口和第三串行输出端口同时输出地址对应的所述存储单元的数据。
9.如权利要求7或8所述的NAND闪存，其特征在于：
所述第一串行端口接收输入数据中的命令信号时第二串行端口为高阻态。
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