[发明专利]一种硅片曝光方法及装置

权利要求书

1.一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；

（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；

（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；

（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；

（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；

（6）对硅片进行曝光。

2.根据权利要求1所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（1）中按照一定规则是指以硅片中心为圆点，以一定间隔在硅片上做出一系列同心圆，测量点分布在同心圆圆周上。

3.根据权利要求1所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（2）中测量系统是指光刻机内部包含的测量系统，包括对准系统和调焦调平测量系统。

4.根据权利要求1所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（3）中的对位置数据进行拟合是指将所述位置数据带到下述硅片面形公式进行拟合，得到硅片面形：

其中，x，y为硅片上各测量点水平位置坐标，a、b为变形系数，c为常数，m表征硅片面形的阶次。

5.根据权利要求4所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（4）中计算每个曝光场的调焦调平参数包括如下步骤：

   （a）获取每个曝光场中心位置和每个曝光场大小；

   （b）在每个曝光场内选取采样点，并根据拟合得到的硅片面形获取所述采样点的垂向位置和水平位置坐标；

（c）根据所述采样点的位置坐标以及下述公式拟和得到每个曝光场的调焦调平参数ry和rx：

其中，k为第k个曝光场，w为第k个曝光场的第w个点。

6.根据权利要求4所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（4）中计算每个曝光场的调焦调平参数包括如下步骤：

    （a）获取每个曝光场中心位置；

    （b）将所述中心位置代入硅片面形公式得到垂向位置z； 

  （c）对所述硅片面形公式进行求导如下，得到每个曝光场的调焦调平参数ry和rx：

      其中，a、b为变形系数， m表征硅片面形的阶次。

7.根据权利要求1所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述步骤（5）中根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平包括如下步骤：

（a）判断曝光场的调焦调平参数z，rx，ry是否超出工件台在此三个方向的行程；

（b）若没有超出，则按照计算得到的调焦调平参数z，rx，ry调整；

（c）若超出工件台的行程，则按照工件台在调焦调平参数z，rx，ry方向上的最大行程进行调整。

8.根据权利要求2所述的硅片曝光方法，其特征在于：所述同心圆数量不小于2个，每个同心圆圆周上选取的测量点不小于3个。