[发明专利]一种对准过程中光强采样点筛选修正的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造装备领域，尤其涉及一种对准过程中光强采样点筛选修正的方法。

背景技术

光刻装置是制造集成电路的主要设备，其作用是使不同的掩膜图案依次成像到基底（半导体硅片或LCD板）上的精确对准的位置。然而这个对准位置却因为连续图形所经历的物理和化学变化而改变，因此需要一个对准系统，以保证硅片对应掩膜的对准位置每次都能够被精确的对准。随着基底每单位表面积上的电子元件数量的增长以及电子元件的尺寸合成越来越小，对集成电路的精度要求日益提高，因此依次掩膜成像在基底上的位置必须越来越准确的固定，对光刻时对准精度的要求也越来越高。

美国专利US5243195公开了一种对准系统其中提及一种轴上对准方式，这种对准方式的优点在于掩膜和基底可以直接被对准，但其缺点在于难以改进到更高的精密度和准确度，而且各种工艺步骤会引起对准标记变化，从而引入不对称性和基底光栅标记的沟槽有效深度的变化。这种现象导致工艺检测不到光栅标记，或在其他情况下仅提供微弱的信号，对准系统稳定性降低。

为了解决这个问题，中国专利申请CN03164858公开了一种双波长对准系统，包括具有第一波长和第二波长的对准辐射源；具有第一波长通道和第二波长通道的检测系统，第一波长通道接收对准标记第一波长处的对准辐射，第二波长通道接收对准标记第二波长处的对准辐射；以及一个定位单元，用以根据在第一波长处检测到的对准辐射相对于在第二波长处检测到的对准辐射的相对强度来确定对准标记的位置。从上述系统中，可以看出，该系统事实上是使用了两个独立的波长来照射和检测基底上的对准标记的位置，从而可以动态的选择对准激光，以取得更好的对准效果。在现有的双波长激光测量系统中，由于工件台在扫描过程中的抖动，以及标记受工艺条件等因素的影响，容易对双波长激光测量系统照射标记所获的光强辐射值产生影响，导致光强波形某点或者一段区域发生偏差，进而导致影响对准精度的计算，甚至是硅片对准的失败。最终影响光刻机对准速度和整机片产率。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供一种对照过程中光强采样点筛选修正的方法，该方法能对对准光强波形中畸变点和失真段波形进行修正，进而保证对准光强波形的正确性，最终实现硅片对准功能。

为了实现上述发明目的，一种对准过程中光强采样点筛选修正的方法，包括：获取对照标记光强波形中不同周期的相同采样点；根据不同光强波形特点，判断该光强采样点是否为畸变点；判断该畸变点是否连续；根据该畸变点是否连续，对该畸变点进行修正以获得修正后的光强数据。

更进一步地，该方法包括：选择光强波形中不同周期的相同采样点，Ix，I2X，I3x，…InX,(n=1,2,…);计算首尾周期同一采样点差值?I=InX-Ix;若该值在上下限阈值内（KMAX，KMIN），则认为该光强波形为平顶正弦波形；若大于上限值KMAX则认为该光强波形为上升型正弦波形；若小于下限值KMIN则认为该光强波形为下降型正弦波形。

更进一步地，该方法包括：若该光强波形为平顶光强波形时，且满足(1-t)(I_3X /I_2X)<I_2X /I_X<(1+t)(I_3X /I_2X)则该点为正常光强点，反之则为畸变点；若该光强波形为上升光强波形时，且满足(I_2X /I_X)<(I_3X /I_X)且（I_2x/I_x）>1,则该点为正常光强点，反之则为畸变点；若该光强波形为下降光强波形时，且满足(I_2X /I_X)>(I_3X /I_X)且（I_2x/I_x）<1,则该点为正常光强点，反之则为畸变点。

更进一步地，该方法包括：重复上述步骤以判断后续采样点是否为畸变点，若仍为畸变点，则该光强畸变点连续；若不为畸变点，则该光强畸变点不连续。若光强畸变点不连续，则寻找该畸变点的前一个光强采样点和后一个光强采样点，以该两个光强采样点的光强值的均值，作为该畸变点的光强值。该光强畸变点不连续情况下的计算公式为：I_x=(I_x-1+ I_x+1)/2。