[发明专利]栅下体引出高可靠LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201210103801.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623507A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 下体 引出 可靠 ldmos 功率 器件 | ||
1.一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于，包括：
在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；
通过体引出引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。
2.如权利要求1所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体引出与源端引出短接，使得LDMOS功率器件的体注入区电位与源区电位相等。
3.如权利要求1所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体引出单独接入一电位，当功率器件为N型LDMOS功率器件时，接入电位应低于源端电位，当功率器件为P型LDMOS功率器件时，接入电位应高于源端电位。
4.如权利要求2或3所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体引出为导电金属，包括多晶硅、铝或铜。
5.如权利要求4所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体注入区可以通过STI隔离方式注入形成；
所述STI隔离区是利用STI工艺形成至少数微米深的STI层隔离区，此深度应大于漂移区、漏端注入区及所述体接触区体注入区的深度，用以隔离所述体接触区体注入区和外围其他区域。
6.如权利要求5所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述STI隔离区的形状包括四边形、六边形或八边形。
7.如权利要求6所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体注入区数量为一个或一个以上，所述体注入区的数量与所述隔离区的数量相同。
8.如权利要求4所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体注入区可以通过栅变形方式注入形成；
所述栅变形是对LDMOS栅进行物理变形以全部或局部囊括所述体注入区。
9.如权利要求8所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述体注入区数量为一个或一个以上。
10.如权利要求9所述的栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：
所述栅变形以全部或局部囊括所述提注入区的多边形结构包括四边形、六边形或八边形。
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