[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

层叠第一半导体晶片以及第二半导体晶片，并且将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片彼此接合，所述第一半导体晶片包括第一基板和与所述第一基板的一个表面相接触而形成的第一绝缘层，所述第二半导体晶片包括第二基板和与所述第二基板的一个表面相接触而形成的第二绝缘层；

在与所述第一基板的所述一个表面相反侧的另外一个表面上形成第三绝缘层；

贯穿所述第三绝缘层、所述第一基板以及所述第一绝缘层进行蚀刻，以使得在形成于所述第二绝缘层中的第二布线层上留下所述第二绝缘层，由此形成第一连接孔；

在所述第一连接孔上形成绝缘膜；

对所述第二布线层上的所述第二绝缘层和所述绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔，并且使所述第二布线层露出；并且

在所述第一连接孔和所述第二连接孔内部形成第一过孔，且使得所述第一过孔连接至所述第二布线层，

其中，形成于所述第一基板的所述另外一个表面处的所述第一连接孔的直径大于形成于所述第三绝缘层处的所述第一连接孔的直径。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

对所述第三绝缘层、所述第一基板和所述第一绝缘层进行蚀刻，以使得在形成于所述第一绝缘层中的第一布线层上留下所述第一绝缘层，由此形成第三连接孔；

在所述第三连接孔上形成所述绝缘膜；

对所述第一布线层上的所述第一绝缘层和所述绝缘膜进行蚀刻以形成第四连接孔，并且使所述第一布线层露出；并且

在所述第三连接孔和所述第四连接孔内部形成第二过孔，且使得所述第二过孔连接至所述第一布线层，

其中，形成于所述第一基板的所述另外一个表面处的所述第三连接孔的直径大于形成于所述第三绝缘层处的所述第三连接孔的直径，并且

所述第一布线层上留下的所述第一绝缘层的膜厚度薄于所述第二布线层上留下的所述第二绝缘层的膜厚度。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的接合包括隔着所述第一绝缘层和与所述第二基板连接的连接层而将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片接合。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的接合包括隔着用于将所述第一绝缘层和所述第二绝缘层彼此连接的连接层而将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片接合。

5.一种半导体装置，其中第一半导体晶片和第二半导体晶片彼此层叠并接合，所述第一半导体晶片包括第一基板和与所述第一基板的一个表面相接触而形成的第一绝缘层，所述第二半导体晶片包括第二基板和与所述第二基板的一个表面相接触而形成的第二绝缘层，该装置包括：

第三绝缘层，其形成于与所述第一基板的所述一个表面相反侧的另外一个表面上；

第一绝缘膜，在贯穿所述第三绝缘层、所述第一基板和所述第一绝缘层且形成于所述第二绝缘层的一部分中的第一连接孔的内侧，所述第一绝缘膜形成于所述第一基板、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的一部分的侧壁上；以及

第一过孔，其形成于上面设有所述第一绝缘膜的所述第一连接孔的内侧，并且形成于使所述第二绝缘层中设有的第二布线层露出而形成的第二连接孔的内侧，所述第一过孔连接至所述第二布线层，

其中，形成于所述第一基板的所述另外一个表面处的所述第一连接孔的直径大于形成于所述第三绝缘层处的所述第一连接孔的直径。