[发明专利]由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法

权利要求书

1.一种由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，其特征是所述方法包括下述步骤：

第一步：按过渡金属层状化合物重量与有机胺类剥离剂水溶液体积之比为(2～10)g∶1L的比例，将过渡金属层状化合物置于(0.01～0.3)mol/L浓度的有机胺类剥离剂水溶液中，室温下搅拌，完成剥离反应，得到前躯体纳米片胶体溶液；

第二步：将得到的前躯体纳米片胶体溶液pH值用盐酸或硝酸或氢氧化钾或所述剥离剂水溶液调至所需的pH＝2～12后，装入水热合成反应釜中，进行水热反应，反应结束后通过离心分离、洗涤、干燥，即制得暴露特定晶面的过渡金属氧化物纳米单晶。

2.根据权利要求1所述的由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，其特征是：所述水热反应的反应温度80～160℃，反应时间6～24小时。

3.根据权利要求1或2所述的由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，其特征是：所述有机胺类剥离剂为四甲基氢氧化胺剥离剂或四丁基氢氧化胺剥离剂或丙胺剥离剂或胺基苯甲酸剥离剂。

4.根据权利要求3所述的由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，其特征是：所述渡金属层状化合物是H₂Ti₄O₉或H₂Ti₃O₇或Na₁Mn₁₁O₂₇·9H₂O或Cu(OH)₂。