[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体膜，包括：

在大致平行于所述氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，

其中所述c轴取向的结晶区的组成以In_1+δGa_1-δO₃(ZnO)_m(满足0＜δ＜1和m＝1至3)表示，

并且所述氧化物半导体膜的组成以In_xGa_yO₃(ZnO)_m(满足0＜x＜2、0＜y＜2以及m＝1至3)表示。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中包含在所述氧化物半导体膜中的磷、硼以及氮的合计浓度为5×10¹⁹原子/立方厘米以下。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中包含在所述氧化物半导体膜中的磷、硼以及氮的合计浓度为5×10¹⁸原子/立方厘米以下。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中包含在所述氧化物半导体膜中的磷、硼以及氮中的任何一个的浓度为1×10¹⁹原子/立方厘米以下。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中包含在所述氧化物半导体膜中的锂和钾的浓度为5×10¹⁵原子/立方厘米以下。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中包含在所述氧化物半导体膜中的钠浓度为5×10¹⁶原子/立方厘米以下。

7.一种半导体装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及

所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，

其中所述氧化物半导体膜包括在大致平行于所述氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，

所述c轴取向的结晶区的组成以In_1+δGa_1-δO₃(ZnO)_m(满足0＜δ＜1和m＝1至3)表示，

并且所述氧化物半导体膜的组成以In_xGa_yO₃(ZnO)_m(满足0＜x＜2、0＜y＜2以及m＝1至3)表示。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中包含在所述氧化物半导体膜中的硼、磷以及氮的合计浓度为5×10¹⁹原子/立方厘米以下。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中包含在所述氧化物半导体膜中的硼、磷以及氮的合计浓度为5×10¹⁸原子/立方厘米以下。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中包含在所述氧化物半导体膜中的硼、磷以及氮中的任何一个的浓度为1×10¹⁹原子/立方厘米以下。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中包含在所述氧化物半导体膜中的锂和钾的浓度为5×10¹⁵原子/立方厘米以下。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中包含在所述氧化物半导体膜中的钠浓度为5×10¹⁶原子/立方厘米以下。

13.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；

所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；以及

所述第二绝缘膜上的栅电极，

其中所述氧化物半导体膜包括在大致平行于所述氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，

所述c轴取向的结晶区的组成以In_1+δGa_1-δO₃(ZnO)_m(满足0＜δ＜1和m＝1至3)表示，

并且所述氧化物半导体膜的组成以In_xGa_yO₃(ZnO)_m(满足0＜x＜2、0＜y＜2以及m＝1至3)表示。