[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在半导体层上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成包含端部分和中央部分的抗蚀图案，从截面上看所述中央部分比所述抗蚀图案的其它部分厚；

蚀刻所述第二导电膜和所述第一导电膜，以便从所述第一导电膜形成第一导电图案以及从所述第二导电膜形成多个第二导电图案，所述第二导电图案彼此分离地位于所述第一导电图案上；以及

通过掺杂一种导电性的杂质元素在所述半导体层中形成多个沟道形成区、多个第一杂质区、多个第二杂质区和多个第三杂质区，

其中所述第一杂质区的每一个位于所述第一导电图案外部，所述第二杂质区的每一个与所述第一导电图案重叠，而所述第三杂质区的每一个位于两个所述沟道形成区之间，以及

其中所述第二导电图案的数目和沟道形成区的数目相同，并且所述数目至少为3。

2.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一导电图案的宽度宽于所述第二导电图案的宽度总和。

3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抗蚀图案是通过使用含有衍射光栅图案的光掩膜来形成的。

4.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抗蚀图案是通过使用含有半透明膜的光掩膜来形成的。

5.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抗蚀图案是通过使用含有衍射光栅图案的标线来形成的。

6.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抗蚀图案是通过使用含有半透明膜的标线来形成的。

7.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一导电图案和第二导电图案用作栅电极。

8.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，每个所述第一杂质区中的所述杂质元素的浓度高于每个所述第二杂质区中的所述杂质元素的浓度。

9.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一杂质区是源区和漏区。

10.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体层包括单晶半导体膜、多晶半导体膜或微晶半导体膜中的一个。

11.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体层是选自单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底或ZnSe衬底的半导体衬底的一部分。

12.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在半导体层上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成包含端部分和中央部分的抗蚀图案，从截面上看所述中央部分比所述抗蚀图案的其它部分厚；

蚀刻所述第二导电膜和所述第一导电膜，以便从所述第一导电膜形成第一导电图案以及从所述第二导电膜形成多个第二导电图案，所述第二导电图案彼此分离地位于所述第一导电图案上；

通过掺杂一种导电性的杂质元素在所述半导体层中形成多个沟道形成区、多个第一杂质区、多个第二杂质区和多个第三杂质区；

在所述第一导电图案和所述多个第二导电图案上形成第三绝缘膜；

形成经所述第三绝缘膜各自电连接至所述第一杂质区的源极和漏极；以及

形成连接至所述源极和漏极中一个的像素电极，

其中所述第一杂质区的每一个位于所述第一导电图案外部，所述第二杂质区的每一个与所述第一导电图案重叠，而所述第三杂质区的每一个位于两个所述沟道形成区之间，以及

其中所述第二导电图案的数目和沟道形成区的数目相同，并且所述数目至少为3。

13.如权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一导电图案的宽度宽于所述第二导电图案的宽度总和。

14.如权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抗蚀图案是通过使用含有衍射光栅图案的光掩膜来形成的。