[发明专利]半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201210102142.X | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102681245A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 王灿;郭炜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半透半反 液晶显示 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示面板制造领域,尤其涉及一种半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)为被动发光的平面显示器,此需要外加光源来提供画面显示所需光线,而依据外加光源的型态,薄膜晶体管液晶显示器一般可以分为以环境光线作为光源的反射式薄膜晶体管液晶显示器,利用背光组件作为光源的透射式薄膜晶体管液晶显示器,以及介于两者之间的半透半反薄膜晶体管液晶显示器。
半透半反的主要特征是把传统薄膜晶体管液晶显示器中的像素分割为由透明导电材料构成的透射式子像素,以及由金属材料构成的反射式子像素,并且利用设置在扫描线与数据线交错区域的像素驱动电路来同时驱动透射式与反射式子像素。现有技术中,半透半反式薄膜晶体管液晶显示器中的反射层设置于RGB彩色滤光片的像素区域,从而,会造成该部分的像素面积减少,降低了像素开口率,从而影响了液晶显示基板的亮度。
发明内容
本发明的实施例提供一种半透半反液晶显示基板及其制造方法,可以增大像素开口率,提高液晶显示面板的亮度,为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种半透半反液晶显示阵列基板,包括基板以及设置在所述基板上的薄膜晶体管,
在所述薄膜晶体管上设置有黑矩阵以及位于黑矩阵上的反射层。
一种半透半反液晶显示面板,其特征在于,所述半透半反液晶显示面板包括上述阵列基板,还包括与所述阵列基板相对盒的彩膜基板,其中,所述彩膜基板上形成有彩色滤光膜,所述彩色滤光膜包括红色滤光区域、绿色滤光区域和蓝色滤光区域,且所述红色滤光区域、绿色滤光区域和蓝色滤光区域连续排列。
一种半透半反液晶显示基板制造方法,包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
在所述形成有薄膜晶体管的基板上沉积保护层,并进行构图工艺;
在所述保护层上形成像素电极层,对像素电极层经过一次构图工艺,形成与保护层同面积的像素电极层,所述像素电极层与漏极连接;
在所述基板的薄膜晶体管、栅线及数据线上形成黑矩阵,使得黑矩阵覆盖所述基板上所有薄膜晶体管器件区域,所述薄膜晶体管器件区域为所述阵列基板上薄膜晶体管所集成的区域;
在所述黑矩阵上形成反射层。
本发明实施例提供的半透半反液晶显示基板及其制造方法,通过将黑矩阵设置于TFT阵列基板上后,将现有技术中设置于像素电极上的反射膜设置于黑矩阵上,增大了一个像素单元中的透光面积,从而使得像素的开口率变大,从而使得像素的开口率变大,进一步的,由于将像素电极设置于保护层上方,增加了薄膜场效应管的数据线与像素间的距离,从而减小了像素电极与数据线间的电容,增强了半透半反液晶显示基板的稳定性,进而提高了液晶显示基板的亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种半透半反液晶显示阵列基板结构示意图;
图2为本发明实施例提供的另一种半透半反液晶显示阵列基板结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种半透半反液晶显示面板结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图;
图7为本发明实施例提供的阵列基板制造流程图;
图8为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图一;
图9为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图二;
图10为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图三;
图11为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图四;
图12为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图五;
图13为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图六。
具体实施方式
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