[发明专利]气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法有效
| 申请号: | 201210102038.0 | 申请日: | 2012-04-09 | 
| 公开(公告)号: | CN102877039A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 | 
| 发明(设计)人: | 徐祥准;宋昇勇;金胜勋;金镇圹 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;H05B33/10;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰 | 
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 装置 方法 以及 制造 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置,所述装置包括:
室,具有排放开口;
架台,在所述室内,并包括安装表面,所述安装表面被构造为用于使所述基底安装在其上;
注入单元,具有至少一个注入开口,所述至少一个注入开口用于将气体沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室内;
引导构件,面向所述基底,以在所述基底和所述引导构件之间提供空间;
驱动单元,用于传送所述架台和所述引导构件。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述引导构件与所述基底平行地设置。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述引导构件在尺寸上等于或大于所述基底的尺寸。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述引导构件具有包括多个凸起部分和多个凹入部分并面向所述基底的不规则表面。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,凸起部分和凹入部分沿重力作用的方向延伸。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,设置在所述引导构件和所述基底之间的所述空间具有与将形成在所述基底上的所述薄膜的图案对应的形状,所述引导构件包括通往所述空间的通路,从所述注入单元注入的所述气体穿过所述通路。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述通路至少包括形成在所述引导构件的上端上的第一穿透部分和形成在所述引导构件的下端上的第二穿透部分。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一穿透部分或所述第二穿透部分延长以对应于所述空间。
9.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一穿透部分或所述第二穿透部分包括与所述空间对应的多个穿透开口。
10.根据权利要求6所述的装置,其中,所述空间在形状上对应于形成在所述引导构件的面向所述基底的表面中的槽。
11.根据权利要求6所述的装置,其中,所述引导构件包括覆盖所述空间的盖。
12.根据权利要求1所述的装置,其中,所述驱动单元被构造为在所述基底安装在所述架台的状态下沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向传送所述架台和所述引导构件。
13.根据权利要求1所述的装置,其中,所述驱动单元被构造为往复地移动。
14.根据权利要求12所述的装置,其中,所述驱动单元被构造为同时传送所述架台和所述引导构件。
15.根据权利要求12所述的装置,其中,所述驱动单元包括用于移动所述架台的第一驱动单元和用于移动所述引导构件的第二驱动单元。
16.根据权利要求1所述的装置,其中,所述安装表面沿与重力作用的方向平行地设置。
17.根据权利要求1所述的装置,其中,所述注入单元设置在所述架台上方。
18.根据权利要求1所述的装置,其中,所述排放开口连接到泵。
19.根据权利要求1所述的装置,其中,通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。
20.根据权利要求1所述的装置,其中,所述注入单元包括源气和反应气体独立地注入所通过的多个注入开口。
21.根据权利要求1所述的装置,其中,与所述基底相比,所述排放开口更靠近地面。
22.根据权利要求1所述的装置,所述装置还包括具有用于在所述基底上以期望的图案形成所述薄膜的掩模开口的掩模,
其中,所述掩模设置在所述基底上。
23.根据权利要求1所述的装置,其中,所述注入单元包括多个注入开口,所述多个注入开口沿与所述基底的其上将形成所述薄膜的表面垂直的方向布置并且彼此隔开,从而对所述基底多次执行沉积工艺。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





