[发明专利]采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法

权利要求书

1.一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，包括如下步骤：

步骤1：在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层，该氧化锌掺铝层为阴极；

步骤2：在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧，旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物，形成光敏层；

步骤3：在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层；

步骤4：通过热蒸发，在氧化钼层上沉积银层，该银层为阳极，完成反型聚合物太阳电池的制备。

2.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中氧化锌掺铝层的厚度为250至500nm。

3.根据权利要求2所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中氧化锌掺铝层铝的质量分数为0.5％至1.5％。

4.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中光敏层的厚度为80nm至200nm。

5.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中聚噻吩富勒烯混合物中聚噻吩与富勒烯的质量比为1至1.5。

6.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物中金颗粒与聚噻吩的质量比为0.7％至1.5％。

7.根据权利要求6所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中金颗粒的尺寸为5nm至10nm。

8.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中氧化钼层的厚度为10nm至20nm。

9.根据权利要求1所述的采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，其中银层的厚度为100nm至200nm。