[发明专利]自对准双构图方法及其形成的图案有效
申请号: | 201210101644.0 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103367108A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李凤莲;倪景华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 构图 方法 及其 形成 图案 | ||
1.一种自对准双构图方法,其特征在于,包括:
提供形成在衬底上的第一介电层;
在所述第一介电层上依次淀积待刻蚀层、研磨终止层;
在所述待刻蚀层、研磨终止层内形成沟槽;
在所述研磨终止层上及沟槽内淀积掺杂多晶硅层;
在所述掺杂多晶硅层上淀积第二介电层以填满所述沟槽并去除沟槽外的第二介电层与掺杂多晶硅层;
在暴露在所述沟槽开口处的掺杂多晶硅层上形成帽层;
去除所述研磨终止层与所述第二介电层;
以所述帽层为硬掩膜刻蚀所述待刻蚀层与所述掺杂多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待刻蚀层的材质与所述掺杂多晶硅层的材质相同。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掺杂多晶硅层中所掺元素为III族或V族元素。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成帽层的方法为电解法。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述电解法包括:以掺杂多晶硅层为阴极,在其上形成被还原的金属层或金属合金层作为所述帽层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,电解液为Pa离子溶液,或次磷酸与金属离子溶液的混合溶液。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述金属离子溶液所含金属离子为Co2+、W2+、Ti2+、Mo2+中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去除所述研磨终止层与所述第二介电层的方法为干法刻蚀或湿法去除。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述研磨终止层材质为氮化硅,去除采用磷酸;所述第二介电层材质为二氧化硅,去除采用氢氟酸。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待刻蚀层、研磨终止层内形成的所述沟槽有多个。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去除沟槽外的第二介电层与掺杂多晶硅层的方法为化学机械研磨。
12.一种根据权利要求1所述的方法形成的图案。
13.根据权利要求12所述的图案,其特征在于,所述图案的帽层材质为Pa、CoWP或CoMoP。
14.根据权利要求13所述的图案,其特征在于,材质为CoWP或CoMoP的帽层的厚度范围为:50A-200A。
15.根据权利要求12所述的图案,其特征在于,位于所述沟槽侧壁的掺杂多晶硅层的厚度范围为200A-1000A。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210101644.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:标本盒集体检测抛弃装置
- 下一篇:一种气质联用仪载气控制气路装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造