[发明专利]自对准双构图方法及其形成的图案

权利要求书

1.一种自对准双构图方法，其特征在于，包括：

提供形成在衬底上的第一介电层；

在所述第一介电层上依次淀积待刻蚀层、研磨终止层；

在所述待刻蚀层、研磨终止层内形成沟槽；

在所述研磨终止层上及沟槽内淀积掺杂多晶硅层；

在所述掺杂多晶硅层上淀积第二介电层以填满所述沟槽并去除沟槽外的第二介电层与掺杂多晶硅层；

在暴露在所述沟槽开口处的掺杂多晶硅层上形成帽层；

去除所述研磨终止层与所述第二介电层；

以所述帽层为硬掩膜刻蚀所述待刻蚀层与所述掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材质与所述掺杂多晶硅层的材质相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅层中所掺元素为III族或V族元素。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成帽层的方法为电解法。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电解法包括：以掺杂多晶硅层为阴极，在其上形成被还原的金属层或金属合金层作为所述帽层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，电解液为Pa离子溶液，或次磷酸与金属离子溶液的混合溶液。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属离子溶液所含金属离子为Co²⁺、W²⁺、Ti²⁺、Mo²⁺中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述研磨终止层与所述第二介电层的方法为干法刻蚀或湿法去除。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨终止层材质为氮化硅，去除采用磷酸；所述第二介电层材质为二氧化硅，去除采用氢氟酸。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀层、研磨终止层内形成的所述沟槽有多个。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除沟槽外的第二介电层与掺杂多晶硅层的方法为化学机械研磨。

12.一种根据权利要求1所述的方法形成的图案。

13.根据权利要求12所述的图案，其特征在于，所述图案的帽层材质为Pa、CoWP或CoMoP。

14.根据权利要求13所述的图案，其特征在于，材质为CoWP或CoMoP的帽层的厚度范围为：50A-200A。

15.根据权利要求12所述的图案，其特征在于，位于所述沟槽侧壁的掺杂多晶硅层的厚度范围为200A-1000A。