[发明专利]掩膜板的光学邻近校正方法有效
| 申请号： | 201210101392.1 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103365071A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 光学 邻近 校正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种掩膜板的光学邻近校正方法，包括：
将集成电路设计图案分解成若干特征图案和若干非特征图案；
将每一个所述特征图案采用其所对应的特征模型进行基于二维模型的光学邻近校正；
将每一个所述非特征图案采用整体模型进行基于二维模型的光学邻近校正；
将经过光学邻近校正后的所有特征图案和所有非特征图案组合成掩膜板图案。
2.根据权利要求1所述的三维掩膜板的光学邻近校正方法，其特征在于：所述特征模型通过使用特征图案样品，利用光学邻近校正OPC建模工具进行模拟获得。
3.根据权利要求2所述的三维掩膜板的光学邻近校正方法，其特征在于：所述特征图案样品与所述特征图案相同或者相近似。
4.根据权利要求1所述的三维掩膜板的光学邻近校正方法，其特征在于：所述整体模型通过使用所述集成电路设计图案，利用OPC建模工具进行模拟获得。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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