[发明专利]曝光对准方法

权利要求书

1.一种曝光对准方法，其特征在于，包括：

将待曝光晶圆分为若干个区域，所述待曝光晶圆包括若干个成矩阵排列的芯片区域；

对所述待曝光晶圆的若干个区域分别进行偏移测量，获得所述待曝光晶圆不同区域对应的校正公式；

对所述待曝光晶圆的某个区域内的芯片区域进行曝光时，利用对应的校正公式，调整待曝光晶圆的位置。

2.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，根据待曝光晶圆的不同区域的扭曲变形幅度，将待曝光晶圆分为若干个区域。

3.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，包括：将待曝光晶圆分为第一区域和与第一区域相对的第二区域；

对待曝光晶圆的第一区域进行第一偏移测量，获得所述待曝光晶圆的第一区域的第一校正公式；

对待曝光晶圆的第二区域进行第二偏移测量，获得所述待曝光晶圆的第二区域的第二校正公式；

对所述待曝光晶圆的芯片区域进行曝光，当待曝光的芯片区域位于第一区域时，利用所述第一校正公式，调整待曝光晶圆的位置；当待曝光的芯片区域位于第二区域时，利用所述第二校正公式，调整待曝光晶圆的位置。

4.如权利要求3所述的曝光对准方法，其特征在于，所述第一区域为待曝光晶圆靠近圆心的区域，所述第二区域为待曝光晶圆靠近边缘的区域。

5.如权利要求3所述的曝光对准方法，其特征在于，所述第一区域为待曝光晶圆靠近边缘的区域，所述第二区域为待曝光晶圆靠近圆心的区域。

6.如权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述第一区域和第二区域之间的边界位于以待曝光晶圆的中心为圆心，以待曝光晶圆半径的30％为内径，以待曝光晶圆半径的80％为外径的圆环内。

7.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，将所述待曝光晶圆分为若干个扇形区域，对所述若干个扇形区域分别进行偏移测量，获得不同扇形区域对应的校正公式。

8.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，将所述待曝光晶圆分为若干个矩形区域，对所述若干个矩形区域分别进行偏移测量，获得不同矩形区域对应的校正公式。

9.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，将所述待曝光晶圆分为一个圆形区域和至少一个同心环区域，对所述圆形区域和至少一个同心环区域分别进行偏移测量，获得不同区域对应的校正公式。

10.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，根据待曝光晶圆的不同区域的扭曲变形幅度，将待曝光晶圆分为若干个区域，使得每个区域的扭曲变形的幅度相同。

11.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，以所述待曝光晶圆的圆心为坐标原点，以待曝光晶圆的切片线为X轴和Y轴建立坐标系，利用所述坐标系获得校正公式。

12.如权利要求11所述的曝光对准方法，其特征在于，所述校正公式包括侧移校正公式、放大校正公式和旋转校正公式。

13.如权利要求12所述的曝光对准方法，其特征在于，所述侧移校正公式为Tx＝k1，Ty＝k2，其中，当待曝光的芯片区域的X坐标为x，Y坐标为y时，所述Tx为待曝光晶圆需要向X轴正方向校正的校正量，所述Ty为待曝光晶圆需要向Y轴正方向校正的校正量，所述k1为第一校正系数，所述k2为第二校正系数。

14.如权利要求12所述的曝光对准方法，其特征在于，所述放大校正公式为Ex＝k3*x，Ey＝k4*y，其中，当待曝光的芯片区域的X坐标为x，Y坐标为y时，所述Ex为待曝光晶圆需要向X轴正方向校正的校正量，所述Ey为待曝光晶圆需要向Y轴正方向校正的校正量，所述k3为第三校正系数，所述k4为第四校正系数。

15.如权利要求12所述的曝光对准方法，其特征在于，所述旋转校正公式为Rx＝k5*y，Ry＝k6*x，其中，当待曝光的芯片区域的X坐标为x，Y坐标为y时，所述Rx为待曝光晶圆需要向X轴正方向校正的校正量，所述Ry为待曝光晶圆需要向Y轴正方向校正的校正量，所述k5为第五校正系数、k6为第六校正系数。

16.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于，调整所述待曝光晶圆的位置后，对所述待曝光晶圆的芯片区域进行曝光。