[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括在半导体衬底的第一区中的第一MISFET和在半导体衬底的第二区中的第二MISFET，所述制造方法包括以下步骤：

(a)制备所述半导体衬底；

(b)在所述步骤(a)之后，分别在所述第一区中的半导体衬底之上形成用于所述第一MISFET的第一栅极结构和在所述第二区中的半导体衬底之上形成用于所述第二MISFET的第二栅极结构；

(c)在所述步骤(b)之后，在所述半导体衬底之上形成第一材料膜以便覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；

(d)在所述步骤(c)之后，在所述第一材料膜之上形成覆盖所述第二区并暴露出所述第一区的第一掩模层；

(e)在所述步骤(d)之后，利用所述第一掩模层作为离子注入阻挡掩模，在所述第一区中的半导体衬底上进行第一离子注入；

(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一掩模层；

(g)在所述步骤(f)之后，去除所述第一材料膜；

(h)在所述步骤(g)之后，在所述半导体衬底之上形成第二材料膜以便覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；

(i)在所述步骤(h)之后，在所述第二材料膜之上形成覆盖所述第一区并暴露出所述第二区的第二掩模层；

(j)在所述步骤(i)之后，利用所述第二掩模层作为离子注入阻挡掩模，在所述第二区中的半导体衬底上进行第二离子注入；

(k)在所述步骤(j)之后，去除所述第二掩模层；

其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每一个包括栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜之上形成的栅极电极，以及

其中在所述步骤(g)中，暴露出所述第一栅极结构和所述第二栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述步骤(e)中，位于所述第一栅极结构和所述第一栅极结构的侧壁之上的所述第一材料膜作为阻挡离子注入所述第一区中的半导体衬底的离子注入阻挡掩模，

其中在所述步骤(j)中，位于所述第二栅极结构和所述第二栅极结构的侧壁之上的所述第二材料膜作为阻挡离子注入所述第二区中的半导体衬底的离子注入阻挡掩模，以及

其中在所述步骤(g)中，暴露出全部的所述第一栅极结构和全部的所述第二栅极结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第一掩模层和所述第二掩模层中的每一个包括抗蚀剂层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，进一步包括如下步骤：

(1)在所述步骤(k)之后，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的侧壁处形成侧壁间隔体；以及

(m)在所述步骤(1)之后，通过离子注入到所述第一区中的半导体衬底内形成用于所述第一MISFET的源极或漏极的第一半导体区，以及通过离子注入到所述第二区中的半导体衬底内形成用于所述第二MISFET的源极或漏极的第二半导体区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述步骤(g)中，暴露出所述半导体衬底的、待在所述步骤(m)中形成所述第一半导体区和所述第二半导体区的区域。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述步骤(e)中，通过所述第一离子注入在所述第一区内的半导体衬底中形成第三半导体区，所述第三半导体区具有与所述第一半导体区相同的导电类型并且具有比所述第一半导体区低的杂质浓度，以及

其中在所述步骤(j)中，通过所述第二离子注入在所述第二区内的半导体衬底中形成第四半导体区，所述第四半导体区具有与所述第二半导体区相同的导电类型并且具有比所述第二半导体区低的杂质浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中在所述步骤(g)中，通过湿法刻蚀去除所述第一材料膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述步骤(f)中，通过灰化或湿法工艺去除所述第一掩模层，以及

其中在所述步骤(k)中，通过灰化或另一湿法工艺去除所述第二掩模层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第一材料膜包括氮化硅膜，以及

其中在所述步骤(g)中，利用热磷酸使所述第一材料膜受到湿法刻蚀。