[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件无效

专利信息
申请号: 201210100332.8 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN102718478A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 广濑正和;大津大辅;阿部贤 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;H01G4/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孔青;郭文洁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电介质 陶瓷 组合 电子 部件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。

背景技术

作为电子部件的一个实例,陶瓷电容器被用于各种电子仪器,近年来对高性能化的要求越来越高。

作为开关电源电路的Y电容器,被用作静噪滤波器的陶瓷电容器经常暴露于电应力下,所以存在火灾或触电的危险性。因此,为预防上述情况而使用安全标准认定的陶瓷电容器。作为安全标准认定的陶瓷电容器,陶瓷电容器不被破坏,即提高电介质陶瓷组合物的交流击穿电场(ACVB)最为重要。另外,对于这些陶瓷电容器,良好保持静电容量的温度特性也重要,优选兼顾交流击穿电场和静电容量的温度特性。

专利文献1(日本特开2006-096576号公报)和专利文献2(日本特开2003-104774号公报)中公开了交流击穿电场较高的电介质陶瓷组合物。但是,交流击穿电场即使高,也都仅为5kV/mm左右。另外,这些文献中并未公开兼顾交流击穿电场和静电容量的温度特性的电介质陶瓷组合物。

另外,作为上述陶瓷电容器的电极,使用Ag或Cu的烧结电极。但是,Ag虽然可在大气中烧结,但造价高。另一方面,Cu虽然廉价,但在烧结时需要还原气氛,由于电容器元件被暴露于还原气氛中,存在氧空穴增加而半导体化的可能性。因此,为防止电容器元件的半导体化,例如在专利文献3(日本特开平10-36170号公报)中进行{Ba(1-x)Cax}A{Ti(1-y)Zry}BO3的A/B组成控制。

发明内容

本发明鉴于上述实际情况而完成,其目的在于提供交流击穿电场高、静电容量的温度特性良好、介电常数高、耐还原性良好的电介质陶瓷组合物。另外,本发明的目的还在于提供具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。

本发明人等为达成上述目的而进行深入研究,结果发现,通过使电介质陶瓷组合物的组成为特定成分,并使它们的比例在规定范围内,可达成上述目的,从而完成本发明。

即,解决上述课题的本发明实施方案所涉及的电介质陶瓷组合物为以下电介质陶瓷组合物:

所述组合物为含有以(BaxBiy)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分和第2副成分的电介质陶瓷组合物,

上述组成式中的y为0.001≤y≤0.010,且上述组成式中的x与y之和为0.975≤x+y≤1.010,

上述第1副成分为氧化锌,

上述第2副成分为选自Y、La、Ce、Nd、Sm、Mn和Ni的至少1种的氧化物,

以上述主成分按100重量份计,含有2重量份以上、12重量份以下的上述第1副成分,

以上述主成分按100重量份计,换算成氧化物,含有0.008重量份以上、0.08重量份以下的上述第2副成分。

根据本发明,可提供交流击穿电场高、静电容量的温度特性良好、介电常数高、耐还原性良好的电介质陶瓷组合物。

本发明实施方案所涉及的电子部件具有由上述电介质陶瓷组合物或通过上述制备方法得到的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。

本发明实施方案所涉及的电子部件无特殊限定,可示例出单片陶瓷电容器、叠层陶瓷电容器。

附图简述

图1(A)为本发明一个实施方案所涉及的陶瓷电容器的正面图,图1(B)为本发明一个实施方案所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。

具体实施方式

以下根据附图所示实施方案对本发明的实施方案进行说明。

陶瓷电容器2

如图1(A)、图1(B)所示,本发明实施方案所涉及的陶瓷电容器2具有以下构成:电介质层10、其相向表面上形成的一对端子电极12、14和与该端子电极12、14分别连接的导线端子6、8,它们覆盖有保护树脂4。

陶瓷电容器2的形状可根据目的或用途酌情确定,但优选为电介质层10呈圆板形状的圆板型电容器。另外,其尺寸可根据目的或用途酌情确定,但通常直径为5~20mm左右,优选为5~15mm左右。

(电介质层10)

电介质层10由本发明实施方案所涉及的电介质陶瓷组合物构成。

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