[发明专利]具有双功能的非挥发性半导体记忆单元

权利要求书

1.一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元，包括：

第一导电类型的基底，包括主动区；

该非挥发性半导体记忆单元的特征在于还包括：

第一闸极，该第一闸极的全部形成于该主动区之上，用以接收选择闸极电压；

第二闸极，该第二闸极的部分形成于该主动区上，且位于该第一闸极的第一边，用以接收第一电压和第二电压，其中该第一闸极和该第二闸极相距第一距离，该第一电压是有关于该双功能中的可一次编程功能，以及该第二电压是有关于该双功能中的可多次编程功能；

第三闸极，该第三闸极的部分形成于该主动区上，且位于该第一闸极的第一边，用以接收该第一电压和该第二电压，其中该第一闸极和该第三闸极相距该第一距离，以及该第二闸极和该第三闸极相距第二距离；

电荷储存层，形成于该主动区的表面之上，且填充于该第二闸极和该第三闸极之间；

第一扩散区，形成于该表面之上，且位于该第一闸极的第二边，其中该第一闸极的第一边的是相对于该第一闸极的第二边，其中该第一扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的第二导电类型，且该第一扩散区是用以接收和该可一次编程功能有关的第三电压以及和该可多次编程功能有关的第四电压；

第二扩散区，形成于该表面之上，且位于该第二闸极的第一边，其中该第二闸极的第一边是相对于该第一闸极的第一边，其中该第二扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的该第二导电类型，且该第二扩散区是用以接收和该可多次编程功能有关的第五电压；及

第三扩散区，形成于该表面且介于该第一闸极和该第二闸极/第三闸极之间，其中该第三扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的该第二导电类型。

2.如权利要求1所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，在该可一次编程功能的编程模式中，该第一电压是用以击穿在该第二闸极和该第三闸极之下的氧化层，该选择闸极电压是为该第一电压的一半，以及该第三电压是等于地电压。

3.如权利要求1所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，在该可一次编程功能的读取模式中，该第一电压是等于该选择闸极电压，以及该第三电压是等于地电压。

4.如权利要求1所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，在该可多次编程功能的编程模式中，该第二电压是高于0V，该选择闸极电压是高于0V，该第四电压是等于0V，以及该第五电压是高于0V。

5.如权利要求1所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，在该可多次编程功能的抹除模式中，该第二电压是低于0V，该选择闸极电压是等于0V，该第一扩散区是浮接，以及该第五电压是高于0V。

6.如权利要求1所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，该第一距离和该第二距离是适合让该电荷储存层在一个范围内自对准。

7.如权利要求6所述的非挥发性半导体记忆单元，其特征在于，该范围是介于20奈米及200奈米之间。