[发明专利]一种基于忆阻器的带通滤波器无效

专利信息
申请号: 201210100159.1 申请日: 2012-04-09
公开(公告)号: CN102611408A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 蒋旻;段宗胜;陈波;甘朝晖 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: H03H7/12 分类号: H03H7/12
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 *** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 带通滤波器
【说明书】:

技术领域

发明属于忆阻器技术领域。具体涉及一种基于忆阻器的带通滤波器。

背景技术

忆阻器(Memristor)是电阻、电容和电感之外的第四种基本的电路元件,1971年蔡少棠首次提出了忆阻器的概念并论证了其存在的科学依据。2008年,HP实验室发现了一种具有忆阻特性的纳米双端电阻,进而证实了忆阻器的存在。

忆阻器的阻值与流过器件的电荷有关,即当电荷从一个方向流过时,电阻会增加,当电荷反方向流过时,电阻就会减小,这一特性使得忆阻器在可编程模拟电路领域具有广泛的应用前景。

在传统的模拟带通滤波电路中,为了实现截止频率可调,一般采用电位器替代电路中的电阻,通过调节电位器的阻值来改变滤波电路的截止频率。目前,广泛使用的电位器主要有模拟式机械电位器和数字电位器二种。由于机械式电位器的稳定性不高,且不易于实现自动控制,而数字电位器的阻值为离散值,温度系数大且通频带较窄,在很大程度上影响了模拟滤波器的精度和稳定性。

发明内容

本发明旨在克服上述技术不足,目的是提供一种结构简单、精度高且更易于控制的基于忆阻器的带通滤波器。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案是:该滤波器由控制模块、低通滤波模块和高通滤波模块组成。

低通滤波模块由第一忆阻器电路和第一忆容等效电路组成,第一忆阻器电路的输出端VLP1与第一忆容等效电路的输入端VIN2连接。第一忆阻器电路的输入端VT11、SW1和VT12与控制模块的输出端CV11、CS1和CV12对应连接,第一忆容等效电路的输入端VT21、SW2和VT22与控制模块的输出端CV21、CS2和CV22对应连接。第一忆阻器电路的输入端VIN1外接滤波器的输入信号,第一忆容等效电路的输出端VLP2与高通滤波模块连接。

高通滤波模块由第二忆容等效电路和第二忆阻器电路组成,第二忆容等效电路的输出端VHP1与第二忆阻器电路的输入端VIN4连接。第二忆容等效电路的输入端VT31、SW3和VT32与控制模块的输出端CV31、CS3和CV32对应连接,第二忆阻器电路的输入端VT41、SW4和VT42与控制模块的输出端CV41、CS4和CV42对应连接。第二忆容等效电路的输入端VIN3与低通滤波模块连接,第二忆阻器电路的输出端外接滤波器的输出信号。

由于采用上述技术方案,本发明在传统的模拟带通滤波电路中加入忆阻器,通过控制模块改变忆阻器的阻值即可改变带通滤波器的截止频率。由于忆阻器的阻值为连续值,其精度高于数字电位器,因而在对截止频率的精度要求较高的情况下,基于忆阻器的带通滤波器电路结构更为简单。且忆阻器的阻值控制信号为脉冲电压,它对忆阻器阻值的控制与调节比编程控制的数字电位器更简单方便。

因此,本发明具有结构简单、精度高且更易于控制的特点。

附图说明

图1是本发明的一种结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的描述,并非对本发明保护范围的限制。

一种基于忆阻器的带通滤波器。其结构如图1所示,该滤波器由控制模块1、低通滤波模块3和高通滤波模块6组成。控制模块1的输出端CV11、CS1、CV12、CV21、CS2和CV22分别与低通滤波模块3连接,控制模块1的输出端CV31、CS3、CV32、CV41、CS4和CV42分别与高通滤波模块6连接,低通滤波模块3外接滤波器的输入信号,高通滤波模块6外接滤波器的输出信号,低通滤波模块3与高通滤波模块6连接。

低通滤波模块3如图1所示由第一忆阻器电路2和第一忆容等效电路4组成,第一忆阻器电路2的输出端VLP1与第一忆容等效电路4的输入端VIN2连接。第一忆阻器电路2的输入端VT11、SW1和VT12与控制模块1的输出端CV11、CS1和CV12对应连接,第一忆容等效电路4的输入端VT21、SW2和VT22与控制模块1的输出端CV21、CS2和CV22对应连接。第一忆阻器电路2的输入端VIN1外接滤波器的输入信号,第一忆容等效电路4的输出端VLP2与高通滤波模块6连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210100159.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top