[发明专利]一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法

权利要求书

1.一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186～210摄氏度，使用助焊剂将纯度为99.999％以上的铟焊接到银丝引线的一端，形成铟球；所述铝质烙铁头的纯度为95％以上；

步骤二，去除铟球表面附着的助焊剂；

步骤三，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165～185摄氏度，将带有银丝引线的铟球焊接到碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极。

2.根据权利要求1所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤四，利用碲镉汞薄膜片上的测试电极完成电学性能测试后，采用气枪从碲镉汞薄膜片的中心到边缘吹气，随即将测试电极从碲镉汞薄膜片上拉开；所述气枪中使用的气体可以为氮气和惰性气体。

3.根据权利要求1所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述助焊剂为丙三醇和去离子水的混合物，其中，丙三醇和去离子水的体积比范围为(4.5～11)∶1。

4.根据权利要求1所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述铟球的直径范围为0.05～0.3毫米。

5.根据权利要求1所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述步骤二具体包括：将所述铟球在无水乙醇中浸泡然后干燥以去除铟球表面附着的助焊剂。

6.根据权利要求1所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述步骤三中，将带有银丝引线的铟球焊接到经过溴甲醇溶液腐蚀过的碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极；所述溴甲醇溶液由溴和甲醇混合组成，其中，溴与甲醇的体积比范围为(0.1～0.5)∶100。

7.根据权利要求2中所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，当碲镉汞薄膜片呈正方形或菱形、且测试电极位于所述碲镉汞薄膜片的四个角时，步骤四具体包括：

用气枪沿着与碲镉汞薄膜片表面呈30～60度夹角、由碲镉汞薄膜片的中心向一边的边缘吹气，吹气时长为t时将所述边上的两个测试电极从碲镉汞薄膜片上拉开；所述时长t的范围为5～20秒；

然后，用气枪沿着与碲镉汞薄膜片表面呈30～60度夹角、由碲镉汞薄膜片的中心向另一边的边缘吹气，吹气时长为(1/3～2/3)t时将所述另一边上的两个测试电极从碲镉汞薄膜片上拉开。

8.根据权利要求2所述的用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述气枪的口径范围为0.2～0.4毫米，压力范围为0.2～0.6兆帕。