[发明专利]机电换能器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210099693.5 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102728534A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 虎岛和敏;秋山贵弘;冨吉俊夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 机电 换能器 及其 制造 方法 | ||
1.一种机电换能器，包括：
第一电极；
被设置于第一电极上的硅氧化物膜；和
振动膜，包含硅氮化物膜和被设置于所述硅氮化物膜上以与第一电极相对的第二电极，所述硅氮化物膜被设置于所述硅氧化物膜上使得在所述硅氮化物膜和所述硅氧化物膜之间具有间隙。
2.根据权利要求1的机电换能器，其中，所述硅氮化物膜具有大于0MPa且不大于300MPa的拉应力。
3.根据权利要求1或2的机电换能器，其中，所述振动膜还包含被设置于第二电极上在与所述间隙相反的一侧的硅氮化物膜。
4.根据权利要求1的机电换能器，还包括：
用于在第一电极与第二电极之间施加电压的电压施加单元，其中，
所述电压施加单元施加电压使得第一电极的电势比第二电极的电势低。
5.根据权利要求1的机电换能器，还包括：
用于在第一电极与第二电极之间施加电压的电压施加单元，其中，
所述电压施加单元施加电压使得向所述硅氮化物膜施加2MV/cm或更小的电场强度。
6.一种机电换能器，包括：
第一电极；
被设置于第一电极上的绝缘膜；和
振动膜，包含膜片和被设置于所述膜片上在与所述间隙相反的一侧以与第一电极相对的第二电极，所述膜片被设置于所述绝缘膜上使得在所述膜片与所述绝缘膜之间具有间隙，其中，
所述膜片具有大于0MPa且不大于300MPa的拉应力；并且，
所述绝缘膜具有比所述膜片的势垒高的势垒。
7.一种制造机电换能器的方法，包括：
在第一电极上形成硅氧化物膜；
在所述硅氧化物膜上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成硅氮化物膜；
在所述硅氮化物膜上形成第二电极；和
在所述硅氮化物膜中形成蚀刻孔并通过所述蚀刻孔去除所述牺牲层。
8.根据权利要求7的制造机电换能器的方法，其中，所述牺牲层由铬制成并且通过湿法蚀刻被去除。
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