[发明专利]Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法

权利要求书

1.一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：

a.首先将一定量氯化亚锡，尿素和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值至5.5~6；升高温度至80oC在一定搅拌速度下反应一定时间得到SnS薄膜，反应完毕后取出样品，并用超声法将样品清洗干净;制备SnS薄膜所需各原料的摩尔配比为： 

SnCl₂：CN₂H₄O：C₂H₅NS=1：（1~3）：（1~5）；

b.将一定量的氯化亚铁，硫代乙酰胺和乙二胺四乙酸加入盛有去离子水的烧杯中，然后将清洗干净的SnS薄膜样品垂直悬于烧杯中，向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值至4.5~5.5，升高温度至80oC，在一定搅拌速度下反应一定时间在SnS薄膜上制得一定厚度的FeS薄膜，反应完毕后取出样品，并用超声法将样品清洗干净;制备FeS薄膜所需各原料配比为： 

FeCl₂：EDTA：C₂H₅NS=1：（1~3）：（4~5）；

c.将以上步骤所得样品在空气中400oC退火3小时；

d.将以上步骤得到的样品在摩尔浓度为1~2mol/L的硫酸铜溶液中浸泡一定的时间，进行Cu离子置换； 

e.将以上步骤得到的样品在H₂S(5%)/Ar的混合气体中，500 oC退火2小时，最终得到高质量的Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜。

2. 根据权利1要求所述的一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的用于铜离子置换的硫酸铜可以用氯化铜、醋酸铜、氯化亚铜或者乙酰丙酮酸铜来代替。

3.根据权利1要求所述的一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备FeS薄膜层所用的氯化亚铁可以用醋酸亚铁、油酸亚铁、乙酰丙酮酸亚铁或者硬脂酸亚铁来代替。

4.根据权利1要求所述的一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备SnS薄膜层所用的氯化亚锡可以用四氯化锡、二溴乙酰丙酮酸锡来代替。

5.根据权利1要求所述的一种Cu₂FeSnS₄纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备SnS和FeS薄膜所需的硫代乙酰胺可以用硫代硫酸钠来代替。