[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210099582.4 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102683353A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 洪孟逸 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 显示 设备 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于显示设备的阵列基板，包括：
具有像素区域的基板；
位于所述基板上的扫描线、栅极和数据线，所述栅极连接到所述扫描线，所述扫描线和数据线交叉以限定所述像素区域，所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开；
位于所述扫描线、栅极和数据线上的绝缘层，该绝缘层具有露出所述扫描线的端子部、数据线的端子部、源极以及数据线在与扫描线断开处的两侧的接触孔；
位于所述绝缘层和像素区域上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层通过所述接触孔连接到所述扫描线的端子部、数据线的端子部、源极以及数据线在与扫描线断开处的两侧；
位于所述栅极上方且位于氧化物半导体层上的保护层；
采用离子注入或退火处理的方式使位于保护层以外区域的氧化物半导体层成为具有导体特性的透明电极。
2.根据权利要求1所述用于显示设备的阵列基板，其特征在于：所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。
3.根据权利要求1所述用于显示设备的阵列基板，其特征在于：所述绝缘层和保护层的材料为二氧化硅或氮化硅或二氧化硅与氮化硅的组合。
4.一种制造阵列基板的方法，包括如下步骤：
(1)第一道光罩：在具有像素区域的阵列基板上形成扫描线、栅极和数据线，所述栅极连接到所述扫描线，所述扫描线和数据线交叉以限定所述像素区域，所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开；
(2)在所述扫描线、栅极和数据线上形成绝缘层；
(3)第二道光罩：在所述绝缘层上形成具有露出所述扫描线的端子部、数据线的端子部、源极以及数据线在与扫描线断开处的两侧的接触孔；
(4)第三道光罩：在所述绝缘层和像素区域上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层通过所述接触孔连接到所述扫描线的端子部、数据线的端子部、源极以及数据线在与扫描线断开处的两侧；
(5)第四道光罩：在所述栅极上方且在氧化物半导体层上形成保护层；
(6)采用离子注入或退火处理的方式使位于保护层以外区域的氧化物半导体层成为具有导体特性的透明电极。
5.根据权利要求4所述制造阵列基板的方法，其特征在于：所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。
6.根据权利要求4所述制造阵列基板的方法，其特征在于：所述绝缘层和保护层的材料为二氧化硅或氮化硅或二氧化硅与氮化硅的组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
