[发明专利]四边扁平无引脚封装件及其生产方法有效
| 申请号: | 201210098828.6 | 申请日: | 2012-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN102629599A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | 朱文辉;慕蔚;徐召明;李习周;郭小伟 | 申请(专利权)人: | 天水华天科技股份有限公司;华天科技(西安)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 李琪 |
| 地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 四边 扁平 引脚 封装 及其 生产 方法 | ||
1.一种四边扁平无引脚封装件,包括引线框架载体(1),其特征在于,引线框架载体(1)由载体凹坑(14)和环绕载体凹坑(14)设置的三圈引脚组成,该三圈引脚分别由多个互不相连的引脚组成,载体凹坑(14)内粘贴有IC芯片(3),所有引脚上均镀有内引脚化学镀镍钯金层(11);内引脚化学镀镍钯金层(11)与 IC芯片(3)同向设置,IC芯片(3)与内引脚化学镀镍钯金层(11)之间通过键合线相连接;IC芯片(3)、所有引脚镀有内引脚化学镀镍钯金层(11)的一端和所有键合线均封装于塑封体(15)内。
2.一种如权利要求1所述的四边扁平无引脚封装件的生产方法,其特征在于,该生产方法具体按以下步骤进行:
步骤1:晶圆减薄划片和制作引线框架
采用普通QFN减薄方法进行晶圆减薄,得到最终厚度为150μm~200μm的晶圆;粗磨范围从原始晶圆片+胶膜厚度到最终厚度+胶膜厚度+50μm,粗磨速度3μm/s~6μm/s;精磨厚度范围从最终厚度+胶膜厚度+50μm到晶圆最终厚度+胶膜厚度,精磨速度为10μm/min~20μm/min,采用防止碎片工艺;对减薄后的晶圆进行划片,得到IC芯片,应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术,划片进刀速度≤10mm/s;
制作引线框架:
第一步,取厚度为6mil~8mil的铜板,预处理该铜板表面并粗化,得到引线框架基体;
第二步,以丝网漏印的方式将感光油墨均匀地涂覆于引线框架基体的一个表面,在75℃~80℃的温度下烘烤10分钟,使感光油墨硬化;用UV紫外线照射底片,在引线框架基体表面形成图形;用浓度为0.8g/L~1.2g/L 的Na2CO3腐蚀液处理经UV紫外线照射的感光油墨,在引线框架基体表面形成厚度为10μm~15μm的不连续的第一感光胶层;
第三步,在未被第一感光胶层覆盖的引线框架基体表面区域化学镀镍钯金,在该区域形成厚度为0.5μm~5μm的内引脚化学镀镍钯金层;
第四步,用浓度3%~5%的氢氧化钠腐蚀液去掉引线框架基体表面上的第一感光胶层,引线框架基体表面留下内引脚化学镀镍钯金层,水洗;
第五步,在引线框架基体有内引脚化学镀镍钯金层的表面涂覆感光油墨,涂覆方法和后续的处理方法同上述第二步,在内引脚化学镀镍钯金层表面形成厚度为10μm~20μm的第二感光胶层;
第六步,用三氯化铁蚀刻液对引线框架基体有第二感光胶层的表面进行半腐蚀,该表面没有覆盖第二感光胶层的区域被三氯化铁蚀刻液腐蚀,腐蚀深度为0.06mm±5μm,在该表面形成载体凹坑、多个第一内引脚、多个第二内引脚和多个第三内引脚,多个第一内引脚形成第一圈内引脚,多个第二内引脚形成第二圈内引脚,多个第三内引脚形成第三圈内引脚;
第七步,用氢氧化钠腐蚀液去掉第二感光胶层,水洗,得到引线框架;
步骤2:上芯
将IC芯片粘贴于载体凹坑底面;上芯完成后送固化,采用ESPEC烘烤箱,防离层工艺烘烤,烘烤温度175℃±5℃,烘烤3h+0.5h;
步骤3:从IC芯片向引线框架的各个内引脚焊线;
步骤4:选用吸水率≤0.35%、膨胀系数a1≤1的环保型塑封料;进行塑封,得到半成品,塑封过程中采用超薄型封装防翘曲工艺和多段注塑防翘曲软件控制技术进行防冲丝、防离层封装;
步骤5:使用充氯气、通风流畅、温度控制灵活、温度偏差小于±3℃的烘箱,将塑封后的半产品后固化5小时,后固化温度为150±3℃,后固化过程中采用QFN防翘曲固化夹具;
步骤6:同常规QFN打印;
步骤7:电镀及分离引脚
采用高精度高稳定性的金属蚀刻机,将三氯化铁腐蚀液喷涂到引线框架背面,对引线框架背面进行腐蚀减薄,腐蚀减薄厚度为0.03mm~0.04mm,精度控制在±5μm;腐蚀后用两段去离子水清洗残留在引线框架表面的腐蚀液;用稀硫酸腐蚀液或盐酸腐蚀液活化引线框架表面,并去除引线框架表面的氧化物;再经过五段自来水彻底清洗引线框架表面的腐蚀药液、酸洗药液;强风和热风烘干;在引线框架腐蚀减薄后的表面电镀厚度8μm~10μm的铜层,接着在电镀铜层表面电镀厚度7μm~15μm的纯锡层,最后用激光从引线框架背面进行切割,实现引脚分离;
或者,先在引线框架背面电镀厚度7μm~15μm的纯锡层,再用刀片切割引线框架背面,切割深度0.03mm~0.04mm,切割深度精度控制在±5μm,切割宽度0.2mm~0.25mm;然后用激光在刀片切割处烧蚀掉引脚之间相连的部分,实现引脚分离;
或者,先在引线框架背面电镀厚度7μm~15μm的纯锡层,用水刀切割引线框架背面,实现引脚分离;
步骤8:将单元产品从框架上分离;
步骤9:测试/编带
本封装常规测试同传统QFN产品的O/S及开短路测试,同时还需进行电性能及热性能测试,确保产品的高良率和高可靠性;制得四边扁平无引脚封装件。
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