[发明专利]一种半导体太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体太阳能电池，包括由至少一个子电池层(110)组成的有源层(120)，所述子电池层(110)从上至下依次包括窗口层(115)、发射区(114)、基区(111)及背场层(112)，其特征在于，所述发射区(114)及基区(111)之间引入一耗尽区(113)；所述耗尽区(113)组分的带隙宽度大于发射区(114)、基区(111)组分的带隙宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述耗尽区(113)组分的带隙宽度比发射区(114)、基区(111)组分的带隙宽度大。

3.根据权利要求1所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述发射区(114)组分的带隙宽度不小于所述基区(111)组分的带隙宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述耗尽区(113)的厚度为0.1～1微米。

5.根据权利要求3所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述基区(111)与发射区(114)的掺杂类型相反。

6.根据权利要求1～5任一项所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述耗尽区(113)包括p型掺杂区(113a)和/或n型掺杂区(113b)；所述p型掺杂区(113a)或n型掺杂区(113b)与掺杂类型相同的基区(111)或发射区(114)相邻。

7.根据权利要求5所述的半导体太阳能电池，其特征在于，所述基区(111)的厚度为0.1～10微米；所述发射区(114)的厚度为0.01～0.1微米。

8.根据权利要求1所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基区(111)、发射区(114)和耗尽区(113)的制作材料为AlInP、AlGaInP、GaInP、GaAs、GaInAs、InGaAsP或者InP中一种或多种。

9.根据权利要求1所述一种半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤一：在衬底上外延生长背场层(112)，然后在所述背场层(112)上生长掺杂的基区(111)；

步骤二：在所述基区(111)上生长耗尽区(113)；所述耗尽区(113)组分的带隙宽度大于所述基区(111)的带隙宽度；

步骤三：在所述耗尽区(113)上生长与所述基区(111)掺杂类型相反的发射区(114)；所述发射区(114)组分的带隙宽度小于耗尽区(113)组分的带隙宽度，所述发射区(114)组分的带隙宽度不小于所述基区(111)组分的带隙宽度；

步骤四：在所述发射区(114)上生长窗口层(115)；在此完成所述太阳能电池一子电池层(110)的制作；由至少一个所述子电池层(110)组成所述太阳能电池的有源层(120)，在所述有源层(120)的窗口层(115)上制作抗反膜(140)和正面欧姆接触电极(150)；在所述有源层(120)背面制作背面欧姆接触电极(130)。

10.根据权利要求9所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述耗尽区(113)组分的带隙宽度比发射区(114)、基区(111)组分的带隙宽度大。

11.根据权利要求10所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述耗尽区(113)的厚度为0.1～1微米。

12.根据权利要求9所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基区(111)与发射区(114)的掺杂类型相反。

13.根据权利要求9～12任一项所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述耗尽区(113)包括p型掺杂区(113a)和/或n型掺杂区(113b)；所述p型掺杂区(113a)或n型掺杂区(113b)与掺杂类型相同的基区(111)或发射区(114)相邻。

14.根据权利要求12所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基区(111)的厚度为0.1～10微米；所述发射区(114)的厚度为0.01～0.1微米。

15.根据权利要求8所述半导体太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基区(111)、发射区(114)和耗尽区(113)的制作材料为AlInP、AlGaInP、GaInP、GaAs、GaInAs、InGaAsP或者InP中一种或多种。