[发明专利]引线框架及半导体装置

权利要求书

1.一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架，其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂，所述引线框架包括：

包括多根引线的基底框架；

四层电镀，其施加至所述基底框架上连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分，其中所述四层电镀包括由Ni或Ni合金形成的第一镀层、由Pd或Pd合金形成的第二镀层、由Ag或Ag合金形成的第三镀层、及由Au或Au合金形成的第四镀层，它们依此次序层叠在所述基底框架的所述部分上；及

三层电镀，其施加至所述基底框架上从所述密封树脂暴露的暴露区域，其中所述三层电镀包括所述第一镀层、所述第二镀层、及所述第四镀层，它们依此次序层叠在所述基底框架的所述暴露区域上。

2.如权利要求1所述的引线框架，其中所述基底框架包括焊垫，所述半导体元件安装在所述焊垫上。

3.如权利要求1所述的引线框架，其中所述四层电镀施加至所述基底框架上由所述密封树脂所密封的整个密封区域。

4.如权利要求1所述的引线框架，其中所述第三镀层的厚度为大于等于0.05μm～小于等于3.5μm。

5.如权利要求1所述的引线框架，其中

各所述多根引线包括外端和内端，

所述三层电镀施加至所述引线的外端，并且

所述四层电镀施加至所述引线的内端。

6.一种半导体装置，包括：

如权利要求1所述的引线框架；

所述半导体元件；

将所述半导体元件的电极电气连接至所述四层电镀的所述接合线；及

覆盖并且密封所述半导体元件、所述接合线、及部分所述引线的所述密封树脂。