[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一接点配置，具有多个上表面；

一绝缘层，位于该接点配置之上，该绝缘层具有一沟道，该沟道的配置中，至少具有一第一侧壁排列于多个第一接点的该多个上表面；

多个第一侧壁电极位于该沟道的该第一侧壁上，分别于多个第一接点中接触该接点配置的该多个上表面，该多个第一侧壁电极具有多个电极上表面，该多个第一侧壁电极分别包括：一第一氮化钽层，由Ta_xN_y组成，其中，y大于x；以及一电极材料层，该电极材料层比该第一氮化钽层具有一较低电阻及一较低热阻；以及

一存储器材料，与该多个第一侧壁电极的该多个电极上表面接触。

2.根据权利要求1所述的装置，其中该第一氮化钽层被沉积于该电极材料层与对应的该第一接点的该上表面之间。

3.根据权利要求1所述的装置，其中更包括一第二氮化钽层，其中该第一氮化钽层被沉积于该电极材料层与对应的该第一接点的该上表面之间，该第二氮化钽层被沉积于该电极材料层上。

4.根据权利要求1所述的装置，其中该电极材料层是由氮化钛所组成。

5.根据权利要求1所述的装置，其中该存储器材料更包括一相变化材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中Ta_xN_y至少为Ta₃N₅与Ta₂N₃其中之一。

7.根据权利要求1所述的装置，其中该电极材料层是由一个或多个材料组成，是选自Ta_xN_y、钽(Ta)、钨(W)、钨的硅化物(W-silicide)、铂(Pt)、铷(Ru)、二氧化铷(RuO₂)、铱(Ir)及二氧化铱(IrO₂)，其中氮钽化合物比该第一氮化钽层具有较低电阻。

8.根据权利要求1所述的装置，其中该第一氮化钽层的厚度为1纳米至20纳米。

9.根据权利要求1所述的装置，其中该电极材料层是由氮化钛所组成，厚度为0.4纳米至10纳米。

10.根据权利要求1所述的装置，其中更包括一存取阵列装置，耦接于该接点配置。

11.根据权利要求1所述的装置，其中该沟道具有一第二侧壁，该第二侧壁与该第一侧壁相平行，该沟道的配置中，该第二侧壁排列于多个第二接点的该多个上表面；多个第二侧壁电极，具有多个电极上表面，位于该沟道的该第二侧壁上，分别于多个第二接点中接触该接点配置的该多个上表面，该多个第二侧壁电极分别包括：一第二氮化钽层，由Ta_xN_y组成，其中，y大于x；以及该电极材料层，该电极材料层比该第二氮化钽层具有一较低电阻及一较低热阻；以及

该存储器材料，与该多个第二侧壁电极的该多个电极上表面相接触。

12.一种存储器装置的制造方法，包括：

形成一接点配置于一衬底之上；

形成一沟道于该接点配置之上的一第一绝缘层之中，该沟道具有一侧壁，该侧壁与多个接点排列于该接点配置；

沉积一电极材料于该绝缘层及沟道之上，该电极材料包括：一第一氮化钽层，由Ta_xN_y组成，其中，y大于x；以及一电极材料层，该电极材料层比该第一氮化钽层具有一较低电阻及一较低热阻；

沉积绝缘材料的一第二绝缘间隔层于该多个材料层之上；

移除该沟道中心区域及沟道外部的该电极材料及该第二绝缘间隔层，同时维持该电极材料内衬于该沟道的该侧壁以及该多个接点配置的该上表面的部分；

填满该沟道，以介电填充材料形成一填充结构，且刻蚀或打磨该填充结构，以形成一表面，该表面暴露于该电极材料的一上缘；

刻蚀该电极材料的图案以形成多个独立侧壁电极，该多个独立侧壁电极是与对应的该多个接点的该上表面相接触；以及

形成一存储器材料，是与该多个侧壁电极相接触。

13.根据权利要求12所述的存储器装置的制造方法，其中该第一氮化钽层被沉积于该电极材料层与对应的该多个接点的该上表面之间。