[发明专利]MEMS器件有效

专利信息
申请号: 201210098100.3 申请日: 2007-10-08
公开(公告)号: CN102602877A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 稻叶正吾;佐藤彰;渡边徹;森岳志 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: mems 器件
【权利要求书】:

1.一种MEMS器件,其特征在于,该MEMS器件具有:

半导体基板;

固定电极,其以固定在所述半导体基板上的状态设置,并具有多晶硅;

层间绝缘膜,其形成在所述半导体基板和所述固定电极上,并且在所述固定电极上的一部分具有开口部;

可动电极,其设置于所述开口部,并与所述固定电极的露出于所述开口部的部分隔开预定间隙以可动状态设置;和

配线层,其形成在所述层间绝缘膜上,并与所述固定电极电连接,

在位于所述层间绝缘膜之下的所述固定电极的一部分上,形成有硅化物层,且在俯视时,在与所述开口部重叠的所述固定电极上没有形成所述硅化物层。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,

所述硅化物层含有:钛、钨、钼、钴、铂或钯。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,

在所述俯视时,所述可动电极具有向形成有所述硅化物层的方向突出的突起部。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,

所述可动电极具有:第一部分,其形成在所述基板上;和第二部分,其与所述固定电极隔开预定间隙地从所述第一部分延伸而形成,

在所述第二部分的上表面及侧面形成有含有钨或钼的硅化物层,

在所述第二部分的底面及所述第一部分的侧面,没有形成所述第二硅化物层。

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