[发明专利]一种SiO2减反射薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种SiO₂减反射薄膜，包括光伏玻璃衬底以及依次涂覆在光伏玻璃衬底上的10nm-30nm厚的第一SiO₂致密层、50nm-300nm厚的SiO₂纳米空心颗粒层和填充在SiO₂纳米空心颗粒层中SiO₂纳米空心颗粒之间孔隙中的第二SiO₂致密物；

所述的第二SiO₂致密物的填充总量等同于5nm-30nm厚的第一SiO₂致密层中SiO₂致密物的量。

2.根据权利要求1所述的SiO₂减反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂纳米空心颗粒层的厚度为90nm-120nm；

所述的第二SiO₂致密物的填充总量等同于10nm-20nm厚的第一SiO₂致密层中SiO₂致密物的量。

3.根据权利要求1或2所述的SiO₂减反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂纳米空心颗粒层的厚度为100nm；

所述的第二SiO₂致密物的填充总量等同于15nm厚的第一SiO₂致密层中SiO₂致密物的量。

4.根据权利要求1所述的SiO₂减反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂纳米空心颗粒层中SiO₂纳米空心颗粒的粒径为30nm～120nm，壁厚为3nm～20nm，粒径的相对标准偏差为5％～30％。

5.根据权利要求1或4所述的SiO₂减反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂纳米空心颗粒层中SiO₂纳米空心颗粒的粒径为30nm～45nm，壁厚为4～6nm，粒径的相对标准偏差为5％～10％。

6.根据权利要求1至5任一项所述的SiO₂减反射薄膜的制备方法，包括步骤：

a.在经过清洗的光伏玻璃上涂覆SiO₂溶胶，于200℃～450℃热处理0.2h～1h，制备第一SiO₂致密层；

b.将SiO₂纳米空心颗粒分散液涂覆于步骤a中的第一SiO₂致密层上，在空气中干燥5分钟～20分钟；

c.将步骤b重复1～8次后涂覆SiO₂溶胶，于200℃～450℃热处理0.2h～1h；

d.重复步骤c，制备SiO₂纳米空心颗粒层并在SiO₂纳米空心颗粒层中SiO₂纳米空心颗粒之间孔隙中填充第二SiO₂致密物，经300℃～450℃处理0.5小时～2小时，得到SiO₂减反射薄膜。

7.根据权利要求6所述的SiO₂减反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述的SiO₂溶胶为酸催化SiO₂溶胶。

8.根据权利要求6所述的SiO₂减反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述的涂覆采用旋涂法、提拉法或者喷涂法中的一种方式来完成。

9.根据权利要求6所述的SiO₂减反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述的SiO₂纳米空心颗粒分散液的制备方法，包括如下步骤：

(1)按照硅源、去离子水、催化剂、溶剂及模板剂的摩尔比为1∶30～90∶15～40∶300～700∶0.01～0.02配置原料；

(2)将步骤(1)中的去离子水、模板剂与催化剂混合，搅拌均匀，接着加入溶剂搅拌均匀，硅源分2～10次等量加入，每次间隔0.5h～3h，硅源全部加入后溶液持续搅拌5h～20h，得到SiO₂纳米空心颗粒分散液。

10.根据权利要求9所述的SiO₂减反射薄膜的制备方法，其特征在于，所述的硅源为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯中的一种或两种；

所述的模板剂为十六烷基三甲基溴化铵、聚丙烯酸、聚丙烯酸钠中的一种或两种以上；

所述的溶剂为乙醇、异丙醇、乙二醇中的一种或两种以上；

所述的催化剂为氨水中的氨、尿素或氢氧化钠。