[发明专利]存储系统有效
申请号: | 201210097174.5 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103065675B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 辛尚勋;李炯东;李政祐;文英硕 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/402 | 分类号: | G11C11/402 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年10月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0106416的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种半导体存储器,更具体而言涉和一种存储系统。
背景技术
半导体存储器(以下称为存储器)将数据储存在单元电容器(cell capacitor)中。也就是说,单元电容器可以被充电或放电,以将数据储存在单元电容器中。但是,由于电容器会泄漏电荷,故需要感测和放大数据并重写入放大的数据的刷新操作。
参考图1,已知的存储器响应于由用于控制存储器的操作的控制器——诸如中央处理单元(CPU)或图像处理单元(GPU)——所提供的命令来执行刷新操作。命令可以包括自动刷新进入命令、自我刷新进入命令和自我刷新退出命令。
已知的存储器在自动刷新操作时段和自我刷新操作时段期间不能被存取。因此,存储器的有效带宽可能减小。
发明内容
本文说明一种能够增加有效带宽的存储系统。
在本发明的一个实施例中,一种存储系统包括:控制器,所述控制器被配置为提供隐藏自动刷新命令;以及存储器,所述存储器被配置为响应于所述隐藏自动刷新命令来执行刷新操作。所述控制器和所述存储器相互通信,以将它们的刷新地址更新成相同的值。
在本发明的另一个实施例中,一种存储系统包括:控制器,所述控制器被配置为产生通过将包括隐藏自动刷新命令、自我刷新命令和地址同步命令的信号译码所得的命令信号,并将第一刷新地址更新为与从外部提供的第二刷新地址具有相同的值;存储器,所述存储器被配置为响应于所述隐藏自动刷新命令而根据所述第一刷新地址执行自动刷新,响应于所述自我刷新命令而根据内部计数的第二刷新地址执行自我刷新,并将所述第二刷新地址更新为与所述第一刷新地址具有相同的值;以及通信信道,所述通信信道耦合在所述控制器与所述存储器之间,且被配置为传送所述命令信号、所述第一刷新地址和所述第二刷新地址。
在本发明的另一个实施例中,一种存储系统包括:存储器,所述存储器包括以一对一的方式分配给多个刷新地址计数器的多个单位存储器块,且被配置为响应于隐藏自动刷新命令而对所述多个单位存储器块执行刷新操作;以及控制器,所述控制器被配置为对与所述多个刷新地址计数器相对应的多个刷新地址进行计数,并将所述刷新地址和所述隐藏自动刷新命令提供给所述存储器。所述存储器和所述控制器相互通信,以将它们的刷新地址更新成相同的值。
在本发明的另一个实施例中,一种存储系统包括:存储器,所述存储器包括共享一个刷新地址计数器的多个单位存储器块,且被配置为响应于自动刷新命令或自我刷新命令而对所述多个单位存储器块执行刷新操作;以及控制器,所述控制器被配置为向所述存储器提供所述隐藏自动刷新命令或所述自我刷新命令,且当所述隐藏自动刷新命令被提供时将对应于各个单位存储器块的刷新地址调整成相同的值。所述存储器和所述控制器相互通信,以将它们的刷新地址更新成相同的值。
附图说明
结合附图说明本发明的特征、方面和实施例,其中:
图1是示出已知的刷新方法的流程图;
图2是示出根据本发明一个实施例的刷新方法的流程图;
图3是基于图2的刷新时序图;
图4是根据本发明一个实施例的存储系统的框图;
图5是说明图4的刷新地址计数器的内部配置的框图;
图6是图5的增量式计数器的框图;
图7是图6的开关的电路图;
图8是图5的增量式计数器的另一个实例的框图;
图9是图8的单位计数器的电路图;
图10是根据本发明一个实施例的存储系统的框图;以及
图11是根据本发明一个实施例的刷新时序图。
具体实施方式
以下将参考附图通过示例性实施例来说明根据本发明的半导体系统。
将参考图2说明根据本发明一个实施例的刷新方法。
在本发明的一个实施例中,使用隐藏自动刷新(Hide Aref)来增加存储器的有效带宽。
另外,存储器和用于控制存储器的操作的诸如CPU或GPU的控制器可以将它们的刷新地址进行同步以改善刷新操作的稳定性。例如,存储器和控制器管理它们的刷新,使得存储器和控制器每个都具有相同的刷新地址,由此改善刷新操作的稳定性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210097174.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种横向起模装置
- 下一篇:一种汽车内覆盖件的高精度侧冲装置