[发明专利]一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法无效
| 申请号： | 201210096994.2 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102623636A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李红霞;季振国;席俊华 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 电阻 随机 读取 存储器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器，其特征在于：该存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。
2.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：重掺硅衬底的电阻率小于0.1Ω·cm。
3.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：氧化铋薄膜的厚度范围为30～200nm。
4.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：金属薄膜电极为在温度100℃下呈固体的金属材料。
5.如权利要求4所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：所述的金属材料选用金、铂、铜、铝、钛或镍。
6.制备如权利要求1所述电阻式随机读取存储器的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤1.采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；
步骤2.采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；
步骤3.在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤2中，利用磁控溅射法制备氧化铋薄膜，具体条件为：氩气与氧气流量比例范围为20～7，衬底温度为25℃～300℃，溅射功率为30W，溅射时间5～30min，溅射时用金属铋靶。
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