[发明专利]导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置无效
| 申请号： | 201210096583.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102664193A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;姜精斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 制造 方法 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种导电结构，其特征在于，包括：
由铜或铜合金形成的铜层；
用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；
用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。
2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为钼合金，所述防扩散层的材料为钼。
3.如权利要求1或2所述的导电结构，其特征在于，所述钼合金为MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一种或两种以上的混合物。
4.如权利要求3所述的导电结构，其特征在于，
所述钼合金中除Mo以外的元素的原子百分比在0.001at％至50at％之间。
5.如权利要求1或2所述的导电结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度为至所述防扩散层的厚度为至
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一者采用权利要求1至5任一项所述的导电结构。
7.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的薄膜晶体管阵列、栅极线和数据线，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；
在由所述栅极线和所述数据线交叉界定出的像素区域还形成有像素电极；
其中，所述栅极线与对应的栅电极连接，所述数据线与对应的源电极连接，所述像素电极与对应的漏电极连接；
所述数据线、源电极、栅极线、栅电极和漏电极中的至少一者采用权利要求1至5任一项所述的导电结构。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板。
9.一种导电结构的制造方法，其特征在于，包括：
在基底上形成一用于阻挡铜离子向所述基底扩散的阻挡层；
在所述阻挡层上形成一用于阻挡经由所述阻挡层向上扩散的离子的防扩散层；
在所述防扩散层上形成一铜层，所述铜层的材料为铜或铜合金。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，
进一步采用钼合金作溅射源，通过溅射工艺，形成所述阻挡层；
进一步采用钼作为溅射源，通过溅射工艺，形成所述防扩散层；
进一步采用铜或铜合金作为溅射源，通过溅射工艺，形成所述铜层；
其中，所述钼合金的材料为MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一种或两种以上的混合物。
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