[发明专利]用于多级单元存储单元的非顺序编码方案的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201210096304.3 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN102693759B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: Y·陈;D·斯蒂阿迪;P·J·赖安 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C11/56;G11C7/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 姬利永
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 多级 单元 存储 顺序 编码 方案 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于数据存储的方法,包括:

相关于与选定多级单元MLC存储单元的多个可用物理状态的每一个相关联的写尝试,选择向所述多个可用物理状态的每一个分配不同多位逻辑值的非顺序编码方案;以及

相关于所述非顺序编码方案,向所述选定多级单元MLC存储单元写入数据,

所述选择步骤包括通过向所述选定多级单元MLC存储单元施加写电流来将所述选定多级单元MLC存储单元依次转换到多个可用物理状态的每一个,对于每次转换测量所述写电流的幅度,以及相关于所述所测量的写电流的幅度选择非顺序编码方案。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,多级单元MLC存储单元适于相关于多级单元MLC存储单元的2n个物理状态来存储n个独立位,其中n大于1。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,多级单元MLC存储单元适于以N个不同物理状态存储数据,其中N大于1,并且所述所选非顺序编码方案是从共N!个可用编码方案中选择的。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所选非顺序编码方案向具有相对较低电阻的第一物理状态分配第一多位逻辑值,向具有相对高电阻的第二物理状态分配第二多位逻辑值,以及向具有在所述第一和第二物理状态的电阻之间的电阻的第三物理状态分配第三多位逻辑值,其中所述第三多位逻辑值大于所述第一和第二多位逻辑值。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于多级单元MLC存储单元,所选非顺序编码方案提供比顺序编码方案低的总能耗水平。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选择步骤还包括向其中布置了多级单元MLC存储单元的存储阵列存储数据,累积对于在存储步骤期间向所述阵列写入的每个多位逻辑值的频率统计,将所述频率统计存储在存储器中,以及使用所存储的频率统计来标识所选非顺序编码方案。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,存储单元的物理状态包括第一、第二、第三和第四电阻R1、R2、R3、R4使得R1<R2<R3<R4,其中所述第一、第二、第三和第四电阻R1、R2、R3、R4以除了B1<B2<B3<B4和B4<B3<B2<B1之外的次序分别被分配给对应的多位逻辑值B1、B2、B3、B4。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,存储单元的物理状态包括第一、第二、第三和第四阈值电压V1、V2、V3、V4使得V1<V2<V3<V4,其中所述第一、第二、第三和第四阈值电压V1、V2、V3、V4以除了B1<B2<B3<B4和B4<B3<B2<B1之外的次序分别被分配给对应的多位逻辑值B1、B2、B3、B4。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选择步骤还包括标识用于多级单元MLC存储单元的可用替换编码方案布局,其中所述布局中的每个方案对物理状态分配建立不同的多位逻辑值,依次使用每个方案向其中布置了多级单元MLC存储单元的阵列写入数据,以及从呈现最低总能耗的布局选择非顺序方案。

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