[发明专利]一种垂直结构的半导体发光器件制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构的半导体发光器件制作方法，其包含如下步骤：

1)提供一具有正、反两个表面的透光衬底，在其正面上形成一图形化过渡层，构成图形化衬底；

2）在所述图形化衬底上依次外延生长发光外延层，其自下而上至少包括：缓冲层、n型导电层、发光层、p型导电层；

3）在所述发光外延层之上形成欧姆接触层、键合层；

4）提供一导电基板，通过所述键合层将所述发光外延层与所述导电基板粘结；

5）减薄所述透光衬底；

6）在所述透光衬底背面上定义N电极区域，该N电极区域与所述图形化过渡层对应，采用激光蚀刻所述N电极区域的透光衬底至预设深度；

7）采用干法或湿法蚀刻，依次蚀刻所述N电极区域的剩余透光衬底、过渡层、缓冲层，直至露出n型导电层；

8）在露出的n型导电层上制作n电极。

2.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：所述透光衬底的材料选自AlN、GaN、GaAs、Si或者蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：所述图形化过渡层的材料为耐高温材料，其物态转变温度Tg大于800^oC。

4.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：在步骤1）中，先在所述透光衬底的正面上形成一过渡层，通过光刻、蚀刻形成图形化过渡层。

5.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：所述图形化过渡层的图案为图形、方形、三角形或六角形。

6.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：在步骤3）中，还包括：在欧姆接触层上形成一金属反射镜。

7.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：所述键合层为图形化结构。

8.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：在步骤6）中，所述激光蚀刻以图形化的过渡层为对准窗口，第一次间距式线性蚀刻，第二次十字型交叉蚀刻。

9.根据权利要求8所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：所述交叉位置的面积不超过图形化过渡层的面积。

10.根据权利要求1所述的垂直结构的半导体发光器件制作方法，其特征在于：在步骤7）中，首先采用第一种化学溶液选择性蚀刻所述N电极区域的剩余透光衬底同时清洗激光蚀刻的残留物质；接着采用第二种化学溶液选择性蚀刻所述图形化过渡层；最后采用干蚀刻缓冲层，直至露出n型导电层。