[发明专利]一种相位补偿控制器有效

专利信息
申请号: 201210094379.8 申请日: 2012-04-01
公开(公告)号: CN102609028A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 赵梦恋;孙鹏;吴晓波;杨瑾;邓琳 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 相位 补偿 控制器
【权利要求书】:

1.一种相位补偿控制器,其特征在于,包括:

第一增益级,具有正相输入端,反相输入端,以及用于输出放大后的电压Vo1的第一输出端,且所述反相输入端兼做所述相位补偿控制器的一个输入端;

第二增益级,具有用以接收所述电压Vo1的第二输入端,兼做所述相位补偿控制器输出端用于输出电压Vo的第二输出端,以及耦接在所述第二输出端和地之间的第二电容;

缓冲级,具有用以接收并所述电压Vo1的第三输入端,以及跟踪电压Vo1后输出电压Vo1`和电流Ia的第三输出端;

电阻Rz,与所述第三输出端耦接;

第四增益级,包括:

a)接收流经所述电阻Rz的电流Ia的第四输入端:

b)与所述第四输入端耦接的第一电容;

c)与所述第四输入端耦接的第一电流放大器,该第一电流放大器将流经第一电容的电流Ic放大K倍得到电流Ic`;

d)用于将流经第一电容的电流Ic放大K倍得到电流Ic``的第二电流放大器;

e)耦接在第二电流放大器输出端的第四输出端;

电阻R1,电阻R1的一端与第一增益级的正相输入端以及第四输出端相连,用于将所述电流Ic``转化为电压信号反馈至第一增益级的正相输入端,电阻R1另一端兼做相位补偿控制器的另一个输入端。

2.如权利要求1所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的第一增益级包括依次连接的源级跟随放大器以及运算跨导放大器。

3.如权利要求2所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的源级跟随放大器包括MOS管Ms1、MOS管Ms2以及分别对上述MOS管提供驱动电流的电流源K1和电流源K2;所述的MOS管Ms1和MOS管Ms2的栅极分别作为第一增益级的反相输入端以及正相输入端,MOS管Ms1和MOS管Ms2的源极作为所述源极跟随放大器的输出对与所述的运算跨导放大器相接。

4.如权利要求3所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的运算跨导放大器包括接收输入差分电压并提供跨导增益的输入级、用于提供电流增益的中间级、输出级以及中间级与输出级之间的第三电容;所述输入级的输入对与所述源级跟随放大器的输出对相接,所述的输出级的输出端兼作第一增益级的第一输出端。

5.如权利要求4所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的输入级包括构成差分对管的MOS管M1~M2,所述的中间级包括MOS管M3~M6,所述的输出级包括MOS管M7~M8;其中:所述的MOS管M1以及MOS管M2的栅极作为所述运算跨导放大器的输入对,分别与所述的MOS管Ms1以及MOS管Ms2的源极相接;所述的MOS管M5和MOS管M3,MOS管M6和MOS管M4,以及MOS管M8和MOS管M7均构成电流镜连接;所述的MOS管M7与MOS管M5具有漏极与栅漏极接在一起的二极管连接方式,且MOS管M7的源极接地;所述的MOS管M6的漏极与MOS管M8的漏极相接形成所述输出级的输出端;所述的第三电容耦接于输出级的输出端以及MOS管M8的栅极之间。

6.如权利要求1所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的第二增益级包括一共源放大器,所述的共源放大器的输入端作所述的第二输入端,所述的共源放大器的输出端作所述的第二输出端。

7.如权利要求6所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的共源放大器,包括MOS管M9以及对MOS管M9提供驱动电流的电流源K4;其中,MOS管M9的栅极作为第二增益级的第二输入端,并与第一增益级的第一输出端相接;MOS管M9的漏极为第二增益级的第二输出端,并与电流源K4的输入端相接。

8.如权利要求1所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的缓冲级为一电压跟随器。

9.如权利要求8所述的相位补偿控制器,其特征在于,所述的电压跟随器包括MOS管M10~M13以及对MOS管M10~M13提供驱动电流的电流源K5;其中,MOS管M12、M13形成电流镜连接,MOS管M10、M12以及MOS管M13、M11均具有以漏极与栅漏极连接在一起的二极管连接方式,MOS管M10的栅极作为缓冲级的第三输入端,MOS管M13的栅极作为缓冲级的第三输出端。

10.如权利要求1所述的相位补偿控制器,其特征在于,

所述的第一电流放大器包括MOS管Mc1、Mc2以及为MOS管Mc1、Mc2提供驱动电流的电流源K6、K7,所述MOS管Mc1与Mc2具有漏极与栅漏极接在一起的二极管连接方式;所述的第一电容耦接于MOS管Mc1的栅极与Mc2漏极之间;

所述的第二电流放大器包括MOS管Mc3以及为MOS管Mc3提供驱动电流的电流源K8,所述MOS管Mc3与MOS管Mc2共栅;所述MOS管Mc3的漏极作为所述第二电流放大器的输出端。

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