[发明专利]一种单晶随炉等温退火方法及工装无效
| 申请号： | 201210094284.6 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102605421A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 倪代秦;吴星;赵岩;何丽娟;王雷;杨巍;马晓亮;李晋 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶随炉 等温退火 方法 工装 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶随炉等温退火方法，其特征在于：在物理气相传输法单晶生长结束之后,将坩埚顶部的散热通道上加盖保温塞，同时降低加热功率10-70%，然后保温1-48小时；最后采用等温随炉退火方法降到室温，即得到热应力小的单晶。
2.根据权利要求1所述的单晶随炉等温退火方法，其特征在于：所述单晶为碳化硅、氮化铝。
3.一种单晶随炉等温退火工装，其特征在于：包括坩埚，所述坩埚顶部设散热通道，在所述散热通道上方设置一保温塞，所述保温塞或坩埚可上下移动。
4.根据权利要求3所述的单晶随炉等温退火工装，其特征在于：所述单晶为碳化硅、氮化铝。
5.根据权利要求3所述的单晶随炉等温退火工装，其特征在于：在物理气相传输法单晶生长之时，保温塞与散热通道的距离为10mm-400mm。
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