[发明专利]一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺无效
| 申请号： | 201210093645.5 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102590944A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王明华;杨建义;王毅强;郝寅雷;商惠琴 | 申请（专利权）人： | 上海光芯集成光学股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/134 | 分类号： | G02B6/134;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200072 上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 离子交换 玻璃 基材 工艺 | ||
1.一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，主要工艺步骤包括：(一)玻璃基材表面清洗；(二)掩膜材料成膜；(三)图形转移；其特征在于，所用的掩膜材料为与熔融银盐和玻璃基材不发生反应的介质材料或者金属材料或者聚合物材料。
2.根据权利要求1所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的介质材料为Fe2O3、Al2O3、SiO2、CuO、TiO2、SiN中的一种或几种的混合。
3.根据权利要求2所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的介质材料用作掩膜材料成膜采用电子束热蒸发沉积、或者溅射沉积、或者化学汽相沉积、或者Sol-Gel旋涂；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度为50nm-1μm，图形转移时，对掩膜材料进行刻蚀采用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法。
4.根据权利要求1所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的金属材料为Au、Ag、Pt、Ti中的一种或几种的混合。
5.根据权利要求4所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的金属材料用作掩膜材料成膜采用电子束热蒸发沉积、或者溅射沉积、或者化学汽相沉积；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度为50nm-1μm，图形转移时，对掩膜材料进行刻蚀采用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法。
6.根据权利要求1所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的聚合物材料为聚酰亚胺及其衍生材料。
7.根据权利要求6所述的一种用于离子交换的玻璃基材的掩膜工艺，其特征在于，所述的聚合物材料用作掩膜材料成膜采用旋涂成膜、或者化学汽相沉积；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度为50nm-1μm，图形转移时，对掩膜材料进行刻蚀采用光敏曝光显影方法或者干法刻蚀方法。
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