[发明专利]纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；

步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；

步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；

步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；

步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；

步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；

步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；

步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。

2.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓，其表面是平面或微图形PSS，或者纳米图形。

3.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中GaN纳米线模板的横向尺寸为10-600nm。

4.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中GaN纳米线模板的形状是矩形、圆形、菱形或多边形。

5.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中GaN纳米线模板的排列是周期排列或自组装排列。

6.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中InGaN量子盘的发光波段为蓝光或绿光。

7.如权利要求1所述纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法，其中在InGaN量子盘上生长p-GaN层，是采用在InGaN量子盘上搭桥的方法实现，该p-GaN层为连续状一体结构。