[发明专利]等离子体处理装置和等离子体产生用天线无效

专利信息
申请号: 201210093394.0 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN102737944A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 池田太郎;小松智仁;河西繁 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H05H1/46
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 产生 天线
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

进行等离子体处理的处理容器;

使所供给的电磁波透过的慢波板;和

具有与所述慢波板邻接地设置的喷头的等离子体产生用天线,

所述喷头由导体形成,设置有多个气孔,在与多个气孔分离的位置具有使电磁波通过的多个切槽。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述等离子体处理装置具备多个所述等离子体产生用天线。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷头向露出在等离子体空间一侧的面传播表面波。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述喷头上,在所述多个切槽的内侧和外侧形成有所述多个气孔。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于:

还具备气体路径,所述气体路径从分割所述多个切槽的部分通过,对形成于比所述切槽更靠内侧的多个气孔供给气体。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述气体路径被分成能够分别供给多种气体的多个气体路径。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述气体路径相对于所述喷头的中心轴形成为同心圆状。

8.如权利要求3~7中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在多个所述等离子体产生用天线分别设置有调整所述表面波的电力的电磁波传输机构。

9.如权利要求1~8中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

还具备对所述喷头施加直流电压的机构。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:

对所述喷头施加直流电压的机构在与所述同轴管之间具有绝缘部件。

11.如权利要求1~10中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述多个切槽中填充有电介质部件。

12.如权利要求1~11中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述多个切槽相对于所述等离子体产生用天线的中心轴成轴对称地形成。

13.如权利要求1~12中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述喷头的表面,实施有喷镀或固定有顶板,形成有与所述多个切槽和所述多个气孔连通的开口。

14.如权利要求1~12中任意一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷头由硅形成,该喷头的表面露出。

15.一种等离子体产生用天线,其特征在于,具备:

喷头,其由导体形成,具有多个气孔和在与该多个气孔分离的位置使电磁波通过的多个切槽。

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