[发明专利]银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：

一衬底；

一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；

一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；

一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；

一P电极，制作在纳米薄膜上；

一n电极，制作在外延层上的台面上。

2.如权利要求1所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管，其中衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓，其表面是平面或微图形PSS，或者纳米图形。

3.如权利要求1所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管，其中外延层包括依次生长的材料为N型氮化镓层、多量子阱发光区和P型氮化镓层。

4.如权利要求1所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管，其中纳米薄膜为银纳米线透明导电薄膜。

5.一种银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

1)、首先在衬底上依次外延生长外延层和纳米薄膜；

2)、掩模刻蚀掉衬底上一侧的部分外延生长外延层和纳米薄膜，形成台面，刻蚀深度到达外延生长外延层内；

3)、在刻蚀后的外延层11和纳米薄膜上生长二氧化硅层；

4)、掩模刻蚀掉纳米薄膜上的部分二氧化硅层和台面上的部分二氧化硅层，保留外延层和纳米薄膜靠近台面一端的二氧化硅层；

5)、在纳米薄膜上制作P电极；

6)、在台面上制作n电极；

7)、进行气体保护下的退火处理，以改善发光二极管的电性能，完成发光二极管的制作。

6.如权利要求5所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管的制作方法，其中衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓，其表面是平面或微图形PSS，或者纳米图形。

7.如权利要求5所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管的制作方法，其中外延层包括依次生长的材料为N型氮化镓层、多量子阱发光区和P型氮化镓层。

8.如权利要求5所述的银纳米线透明电极氮化镓基大功率发光二极管的制作方法，其中纳米薄膜为银纳米线透明导电薄膜。