[发明专利]三族氮化物高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种三族氮化镓高电子迁移率晶体管，依序包括：

一基板；

一氮化镓缓冲层；

一氮化镓通道层；

一氮化铝间格层；

一单原子掺杂层；

一阻障层；以及

一氮化镓覆盖层。

2.如权利要求1所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，构成该基板的材料选自由碳化硅、硅、氮化镓及蓝宝石所组成的群组。

3.如权利要求1所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该阻障层为一氮化铝镓(Al_xGa_1-xN)层，且该氮化铝镓中的铝含量x为0.1≤x≤0.4。

4.如权利要求1所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该阻障层为一氮化铟铝(In_yAl_1-yN)层，且该氮化铟铝中的铟含量y为0.17≤y≤0.29。

5.如权利要求1所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该单原子掺杂层的掺杂物为硅。

6.如权利要求5所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该硅掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹cm^-3。

7.如权利要求5所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该硅单原子掺杂层的厚度介于到

8.如权利要求1所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，介于该单原子掺杂层与该阻障层之间，进一步包含一n型均质掺杂层。

9.如权利要求8所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层为一氮化铝镓(Al_xGa_1-xN)层，且该氮化铝镓中的铝含量x为0.1≤x≤0.4。

10.如权利要求8所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层为一氮化铟铝(In_yAl_1-yN)层，且该氮化铟铝中的铟含量y为0.17≤y≤0.29。

11.如权利要求8所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层的掺杂物为硅。

12.如权利要求11所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该硅掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

13.如权利要求8所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层的厚度介于到

14.如权利要求8所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，介于该n型均质掺杂层与该阻障层之间，进一步包含复数层交替迭合的单原子掺杂层及n型均质掺杂层。

15.如权利要求14所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，将一单原子掺杂层及一n型均质掺杂层视为一对，则介于该n型均质掺杂层与该阻障层之间包含N对单原子掺杂层及n型均质掺杂层，且1≤N≤4。

16.如权利要求14所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该单原子掺杂层的掺杂物为硅。

17.如权利要求16所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该硅掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹cm^-3。

18.如权利要求16所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该硅单原子掺杂层的厚度介于到

19.如权利要求14所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层为一氮化铝镓(Al_xGa_1-xN)层，且该氮化铝镓中的铝含量x为0.1≤x≤0.4。

20.如权利要求14所述的三族氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，该n型均质掺杂层为一氮化铟铝(In_yAl_1-yN)层，且该氮化铟铝中的铟含量y为0.17≤y≤0.29。