[发明专利]非挥发性存储器读取速度测试电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种非挥发性存储器NVM(Non-Volatile Memory)读取速度测试电路。

背景技术

目前的非挥发性存储器读取速度测试电路采用图1所示的结构，地址产生电路在外部时钟(由管脚PAD输入)的驱动下产生非挥发性存储器的访问地址An～A0，预置的参考数据与非挥发存储器的输出数据Dm～D0由比较电路进行比较，并得出比较结果。该测试电路由于引入了比较电路的延迟影响，因此引入了测试误差。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种非挥发性存储器读取速度测试电路，能准确测试非挥发性存储器的读取速度，并且不会引入测试电路的延迟等误差。

为解决上述技术问题，本发明的非挥发性存储器读取速度测试电路，包括：

一地址产生电路，在外部输入时钟的驱动下产生非挥发性存储器的地址扫描信号，连续读取非挥发性存储器；

一位选择电路，对所述非挥发性存储器输出的数据信号Dm～D0选择某一位数据信号作为基准，并形成方波信号，测试非挥发性存储器的读取速度；

一可编程分频器，对所述位选择电路选择的数据信号形成的方波信号，按照设定的分频比进行分频，进而以低频信号输出；

所述非挥发性存储器内按照隔地址数据相同，相邻地址数据按位相反的格式进行数据预存储，根据所述地址扫描信号的地址跳变输出数据信号Dm～D0。

采用本发明的非挥发性存储器读取速度测试电路，地址扫描信号的跳变速度与外部输入时钟频率成正比，而且所述地址扫描信号的跳变速度和分频比(K)都是系统预先设置的，因此如果能够正确的读取非挥发性存储器，可编程分频器输出的低频信号波形的频率是预先得知的，从而通过控制地址扫描信号的跳变速度能够测试非挥发性存储器的读取速度。

本发明排除了测试电路中各个控制电路的延时误差，能够实现非挥发性存储器读取速度的准确测试，测量精度高；并且通过控制数据位的选择，可以比较各个数据位的速度差异。

本发明测试方式简单，根据外部输入时钟的频率，观测输出信号频率就可以得出非挥发性存储器读取速度。

本发明电路结构简单，易于实现，成本低。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有的非挥发性存储器读取速度测试电路图；

图2是本发明的非挥发性存储器读取速度测试电路一实施例原理图。

具体实施方式

结合图2所示，在本发明的一实施例中，以输出数据位宽为16比特的FLASH为例进行说明。所述非挥发性存储器读取速度测试电路，包括：一地址产生电路，一位选择电路，一可编程分频器。所述非挥发性存储器内按照隔地址数据相同，相邻地址数据按位相反的格式进行数据预存储，根据所述地址扫描信号的地址跳变输出数据信号Dm～D0。如地址0存储0xAAAA，地址1存储0x5555，以此类推。

所述地址产生电路在由输入管脚PAD2输入的外部输入时钟(clock)的驱动下产生非挥发性存储器的地址扫描信号，连续读取非挥发性存储器。例如用简单的地址加1实现地址扫描。

非挥发性存储器输出的数据信号Dm～D0经过所述位选择电路选择，例如选择D0作为基准，并形成方波信号作为可编程分频器的输入信号，测试非挥发性存储器的读取速度。

所述可编程分频器按照设定的分频比对输入信号进行分频，从而以低频信号经过经输出管脚PAD1输出。

所述地址扫描信号的跳变速度由从输入管脚PAD2输入的外部输入时钟频率v决定，所述可编程分频器的分频比k预先设置；因此如果非挥发性存储器能够准确读取，由输出管脚PAD1输出的低频信号频率由函数f(v，k)决定：f(v，k)＝v/(2×k)。

提高由输入管脚PAD2输入的外部输入时钟的频率可以测量出非挥发性存储器的最大读取速度；通过所述位选择电路选择非挥发性存储器输出的数据信号Dm～D0中不同的位数据信号作为可编程分频器输入的数据信号，重复进行测试可以得出各数据位信号之间的速度差异。

本发明的非挥发性存储器读取速度测试电路结构可以与现有的普遍采用的非挥发性存储器的内建自测电路(BIST)结合，实现有效的控制测试。其中，地址产生电路由BIST产生；非挥发性存储器的初始数据由BIST操作完成；位选择电路和分频比k都可以在BIST电路内实现；输入管脚PAD2和输出管脚PAD1可以复用BIST的端口。

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。