[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法

权利要求书

1.一种晶圆缺陷检测方法，所述晶圆表面包括若干周期性重复的方块单元，所述方块单元中存在至少一个具有周期性重复图形的区域，所述晶圆缺陷检测方法包括以下步骤：

获取晶圆的版图设计数据和晶圆表面形貌信息；

根据所述版图设计数据和晶圆表面形貌信息，选定目标方块单元中具有周期性重复图形的区域为待检区域；

确定所述待检区域中图形重复的最小周期，根据所述最小周期设定偏移量；

以与目标方块单元相邻的方块单元为参考方块单元，将参考方块单元中与所述待检区域位置对应的参考区域的图形按照所述偏移量进行偏移，获得偏移参考区域；

对待检区域图形进行缺陷检测，将所述待检区域图形与所述偏移参考区域图形进行形貌比较，若待检区域中某处图形与偏移参考区域中对应位置的图形均不一致时，则判定该处图形存在异常；

扫描所述待检区域上异常图形，对成对出现且间隔距离为一个偏移量的两个异常图形，判断位于偏移量方向起始处的异常图形为缺陷，位于偏移量方向终止处的异常图形非缺陷；对于其余单独出现的异常图形判断为缺陷。

2.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述版图设计数据包括预设晶圆表面的图形、层次及尺寸数据。

3.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述晶圆表面形貌信息通过光学电子显微镜、扫描电子显微镜或聚焦粒子束扫描获取。

4.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述晶圆缺陷检测针对所述晶圆上全部或部分方块单元中周期性重复图形的区域进行检测。

5.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，当所述方块单元中存在多个周期性重复图形的区域时，所述晶圆缺陷检测方法针对方块单元中全部或部分周期性重复图形的区域进行检测。

6.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述偏移量数值为最小周期数值的整数倍。

7.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述最小周期包括相互垂直的两个方向的最小周期标量。

8.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述最小周期包括沿着缺陷检测扫描方向的最小周期标量和垂直于缺陷检测扫描方向的最小周期标量。

9.如权利要求7或8所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述偏移量包括两个分别与最小周期标量方向相对应的偏移标量。

10.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述参考方块单元包括与所述目标方块单元相邻的两个方块单元。